[发明专利]半导体激光装置有效
申请号: | 201680001891.X | 申请日: | 2016-02-12 |
公开(公告)号: | CN106663916B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 黑部立郎;铃木理仁;清田和明 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | H01S5/026 | 分类号: | H01S5/026 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 激光 装置 | ||
半导体激光装置具备半导体光集成元件,该半导体光集成元件将具有多个半导体激光元件的半导体激光器阵列和半导体阵列波导衍射光栅在同一基板上集成为单片,从输出端面输出由所述半导体激光元件振荡得到的激光,该半导体阵列波导衍射光栅由半导体构成,具有:输入侧平板波导,其与所述多个半导体激光元件连接;阵列波导,其与所述输入侧平板波导连接,由长度彼此不同且并列排列的多个波导构成;和输出侧平板波导,其与所述阵列波导连接,所述半导体光集成元件的所述输出端面包含所述输出侧平板波导的输出端而构成。
技术领域
本发明涉及半导体激光装置。
背景技术
以往,例如作为DWDM(Dense Wavelength Division Multiplexing,密集波分复用)光通信用的波长可变光源,公开了集成型的波长可变激光元件(例如参照专利文献1、2)。专利文献1所公开的波长可变激光元件在一个基板上集成了由激光振荡波长彼此不同的多个分布反馈型(DFB:Distributed Feedback)的半导体激光元件构成的半导体激光器阵列、多模干涉型(MMI:Multi Mode Interferometer)的光耦合器、和半导体光放大器(SOA:Semiconductor Optical Amplifier)。
这样与半导体激光器阵列连接的光耦合器若设为无波长选择性的光耦合器,则该元件的输出光强度相对于半导体激光器阵列的输出光强度而言成为半导体激光元件的件数分之一以下,存在损耗较大这样的问题。
因此,公开了一种波长可变激光元件,该波长可变激光元件为了降低该损耗来提高元件的输出效率,作为光耦合器而使用了由半导体构成的阵列波导衍射光栅(AWG:Arrayed Waveguide Grating)(例如参照专利文献3)。AWG具有输入侧平板波导、阵列波导和输出侧平板波导,与输出侧平板波导连接而形成了输出波导。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2005-317695号公报
专利文献2:JP特开2008-103766号公报
专利文献3:JP特开2008-282937号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,在AWG中,产生了制作误差的情况下,AWG的出射位置偏离,AWG与输出波导的耦合损耗增大,元件的输出显著下降。即,对于具有与输出侧平板波导连接的输出波导的波长可变激光元件而言,存在对于制作误差的容差较低这样的课题。特别是半导体激光元件中所使用的半导体材料与以石英玻璃为基料的材料相比折射率大幅增高,因此关于对于制作误差的容差,与以石英玻璃为基料的AWG相比,以半导体材料为基料的AWG的容差大幅降低,存在更大的课题。
本发明鉴于上述情况而作,其目的在于提供一种对于制作误差的容差较高并且输出效率较高的半导体激光装置。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题,并达成目的,本发明的一方式所涉及的半导体激光装置的特征在于,具备半导体光集成元件,所述半导体光集成元件将具有多个半导体激光元件的半导体激光器阵列和半导体阵列波导衍射光栅在同一基板上集成为单片,并从输出端面输出由所述半导体激光元件振荡得到的激光,所述半导体阵列波导衍射光栅由半导体构成,并具有输入侧平板波导、阵列波导和输出侧平板波导,其中所述输入侧平板波导与所述多个半导体激光元件连接,所述阵列波导与所述输入侧平板波导连接,由长度彼此不同且并列排列的多个波导构成,所述输出侧平板波导与所述阵列波导连接,所述半导体光集成元件的所述输出端面包含所述输出侧平板波导的输出端而构成。
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