[发明专利]色彩转换膜、其制备方法及包括其的背光单元和显示装置在审
申请号: | 201680002268.6 | 申请日: | 2016-02-01 |
公开(公告)号: | CN106796950A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 金娜丽;孙世焕;申东穆;金志浩;徐周延;安秉寅;申斗铉 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;C09K11/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 顾晋伟,赵丹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 色彩 转换 制备 方法 包括 背光 单元 显示装置 | ||
1.一种色彩转换膜,包含:
树脂基体;和
分散于所述树脂基体中的有机荧光物质,
其中所述有机荧光物质包含绿色荧光物质和红色荧光物质,当照射包括450nm波长的光时,所述绿色荧光物质在510nm至560nm的范围内具有最大发光波长,当照射包括450nm波长的光时,所述红色荧光物质在600nm至660nm的范围内具有最大发光波长,所述绿色荧光物质与所述红色荧光物质的摩尔比为5∶1至50∶1,并且当照射光时,所述色彩转换膜在510nm至560nm的范围内具有半高全宽(FWHM)为50nm或更小的发光峰并且在600nm至660nm的范围内具有FWHM为90nm或更小的发光峰。
2.根据权利要求1所述的色彩转换膜,其在610nm至650nm的范围内具有FWHM为70nm或更小的发光峰。
3.根据权利要求1所述的色彩转换膜,其中所述包括450nm波长的光使用在450nm波长处具有发光峰的光。
4.根据权利要求1所述的色彩转换膜,其中所述包括450nm波长的光使用具有450nm的最大发光波长、40nm或更小的FWHM和单峰发光强度分布的蓝光。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的色彩转换膜,其中所述绿色荧光物质和所述红色荧光物质包括在单层中。
6.一种用于制备根据权利要求1至3中任一项所述的色彩转换膜的方法,所述方法包括:
将其中溶解有绿色荧光物质和红色荧光物质的树脂溶液涂覆到基底上,当照射包括450nm波长的光时,所述绿色荧光物质在510nm至560nm的范围内具有最大发光波长,当照射包括450nm波长的光时,所述红色荧光物质在600nm至660nm的范围内具有最大发光波长;以及
干燥所述基底上涂覆的所述树脂溶液。
7.一种用于制备根据权利要求1至3中任一项所述的色彩转换膜的方法,所述方法包括与树脂一起挤出当照射包括450nm波长的光时在510nm至560nm的范围内具有最大发光波长的荧光物质和当照射包括450nm波长的光时在600nm至660nm的范围内具有最大发光波长的荧光物质。
8.一种背光单元,包括根据权利要求1至3中任一项所述的色彩转换膜。
9.一种显示装置,包括根据权利要求8所述的背光单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的