[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第二导电型的第一半导体区，其选择性地设置于第一导电型的半导体基板的第一主面的表面层；

半导体元件的元件结构，其设置于所述第一半导体区内；

第一导电型的第二半导体区，其选择性地设置于所述第一半导体区的内部，并构成所述半导体元件的元件结构；

第二导电型的第三半导体区，其在深度方向上贯穿所述第一半导体区，以所述第一半导体区的深度以上的深度且包围所述半导体元件的元件结构的方式被选择性地设置，并且杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高；

第二导电型的第四半导体区，其以与所述第一半导体区分离的方式选择性地设置于所述半导体基板的第一主面的表面层；

第一导电型的第五半导体区，其选择性地设置于所述第四半导体区的内部；

第二导电型的第六半导体区，其在深度方向上贯穿所述第四半导体区，且以所述第四半导体区的深度以上的深度被选择性地设置，并且杂质浓度比所述第四半导体区的杂质浓度高；

第一电极，其电连接到所述第二半导体区、所述第三半导体区、所述第四半导体区和所述第五半导体区；以及

第二电极，其连接到所述半导体基板的第二主面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备第二导电型的第七半导体区，该第二导电型的第七半导体区选择性地设置于所述第四半导体区的内部，且杂质浓度比所述第四半导体区的杂质浓度高，

所述第一电极经由所述第七半导体区而电连接到所述第四半导体区，

所述第五半导体区配置在所述第六半导体区与所述第七半导体区之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备第二导电型的第七半导体区，该第二导电型的第七半导体区选择性地设置于所述第四半导体区的内部，且杂质浓度比所述第四半导体区的杂质浓度高，

所述第一电极经由所述第七半导体区而电连接到所述第四半导体区，

所述第七半导体区以与所述第六半导体区分离的方式配置，

所述第五半导体区选择性地设置于所述第六半导体区的内部。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备第二导电型的第七半导体区，该第二导电型的第七半导体区选择性地设置于所述第六半导体区的内部，且杂质浓度比所述第六半导体区的杂质浓度高，

所述第一电极经由所述第七半导体区而电连接到所述第四半导体区，

所述第五半导体区选择性地设置于所述第六半导体区的内部。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备第二导电型的第七半导体区，该第二导电型的第七半导体区选择性地设置于所述第六半导体区的内部，且杂质浓度比所述第六半导体区的杂质浓度高，

所述第一电极经由所述第七半导体区而电连接到所述第四半导体区，

所述第五半导体区以与所述第六半导体区分离的方式配置。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第五半导体区以包围所述第七半导体区的周围的方式配置。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第五半导体区以包围所述第七半导体区的周围的方式配置，

所述第六半导体区以包围所述第五半导体区的周围的方式配置。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第六半导体区以包围所述第七半导体区的周围的方式配置。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第六半导体区以包围所述第五半导体区的周围的方式配置。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第六半导体区具有与所述第三半导体区相同的杂质浓度和深度。