[发明专利]溅射靶

权利要求书

1.一种用于制造溅射靶的方法，包括：

形成熔融合金混合物，其中所述熔融合金混合物包含(i)含有Co、Fe或B中的至少一者作为主要组分的组合物，或(ii)包含Fe和Ni中的至少一者和Co的组合物，或(iii)具有式CoFeX的组合物，其中X为B、C或Al中的一者；

将所述熔融混合物浇注于模具中以形成定向铸锭；

将所述铸锭退火；和

切割所述铸锭以形成所述溅射靶；

其中所述溅射靶的纯度大于99.99％，并且具有40ppm以下的低氧含量，并且具有由硼化物构成的柱状微观组织。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述熔融合金混合物包含含有15％以上的硼(B)的组合物。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括(i)在切割所述铸锭之前使该铸锭成型，或(ii)在切割所述铸锭之后对所述溅射靶进行退火，或(iii)在切割所述铸锭之后对所述溅射靶进行精整。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述精整包括对所述溅射靶的至少一个表面进行研磨。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述退火在低于700℃的温度下进行至少约8小时。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述熔融混合物浇注于所述模具上方的漏斗中，其中所述漏斗包括圆锥状上部和圆柱状底部。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述溅射靶包含具有式Co_xFe_yB_(1-x-y)的合金。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述溅射靶包含具有式(CoFe)_1-xB_x的合金，其中0.2≤x≤0.4。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述溅射靶的直径为至多250mm。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述溅射靶在3mm厚度下的磁透率为至少30％。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述溅射靶的纯度为99.99％。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述溅射靶的氧含量小于40ppm。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述溅射靶的B含量大于15％。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述退火在真空下进行，或者在利用惰性气体的气体保护下进行。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述溅射靶具有均匀的微观组织。

16.一种用于制造磁阻RAM(MRAM)的溅射靶，该溅射靶通过包括以下步骤的方法制造：

形成熔融合金混合物，其包含Ni、Mn、B、C和/或Al中的至少一者以及Co、Fe、B或Ni；

将所述熔融混合物浇注于位于模具上方的漏斗中，以形成定向铸锭；

将所述铸锭退火；和

EDM切割所述铸锭以形成所述溅射靶。

17.由权利要求16所述的方法形成的溅射靶，其中所述溅射靶的B含量大于15％。

18.一种溅射靶，包含：

Ni、Mn、B、C和/或Al中的至少一者以及Co、Fe、B或Ni的合金；并且

磁透率为约30％；

其中所述溅射靶基本上没有裂纹。

19.一种溅射靶，其具有由硼金属间化合物形成的柱状微观组织，并且还包含钴和铁，其中所述溅射靶的纯度大于99.99％，并且具有40ppm以下的低氧含量。

20.根据权利要求19所述的溅射靶，其中所述溅射靶在3mm厚度下的磁透率为至少30％。