[发明专利]光电转换元件以及波长传感器在审
申请号: | 201680002418.3 | 申请日: | 2016-07-15 |
公开(公告)号: | CN107004733A | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 黄武钟;林弘毅;伊藤泰雄 | 申请(专利权)人: | IMRA日本公司 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;H01G9/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 李洋,青炜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 以及 波长 传感器 | ||
1.一种光电转换元件,其具备光电转换部、和用于将所述光电转换部与外部电路连接的电极,其中,
所述光电转换部具备:供光电转换的对象的光亦即转换对象光入射的活性层、相对于所述活性层而被配置于与所述转换对象光的入射侧相反的一侧的中间层、以及以隔着所述中间层而与所述活性层对置的方式被配置的反射层,
所述活性层包含通过与所述转换对象光的相互作用而产生等离子共振的材料亦即等离子谐振材料,
所述中间层具有半导体特性以及相对于所述转换对象光的透明性这两者,
所述反射层具有相对于所述转换对象光的反射性。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
所述活性层具有使用所述等离子谐振材料而形成的等离子层与使用与所述等离子谐振材料不同的材料而形成的非等离子层交替层叠的构造。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件,其中,
所述等离子谐振材料是金,
所述中间层使用氧化钛而形成,
所述反射层使用金而形成。
4.一种波长传感器,具备:
权利要求1~3中任一项所述的光电转换元件;和
波长信息输出部,其与所述光电转换元件电连接,
将比所述活性层中产生的等离子共振的共振波长短的特定的波长作为边界波长,所述波长信息输出部在所述转换对象光的波长比所述边界波长长的情况下与所述转换对象光的波长比所述边界波长短的情况下输出相互不同的信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的