[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201680002449.9 申请日: 2016-02-03
公开(公告)号: CN106605300B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 网秀夫 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18;H02M7/48
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙昌浩;李盛泉
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

本发明提供一种能够降低电感和感应磁场的影响,能够使大电流从一个器件流向其它器件的半导体装置。所述半导体装置具备第一区域的第一器件和第二区域的第二器件以及将第一器件和第二器件电连接的连接导体,对于连接导体而言,该连接导体中所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分邻接。连接导体使电流从第一器件流向第二器件,并在连接导体的至少一部分中,使电流沿从第二器件朝向第一器件的方向流动。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往,对作为处理大电力的半导体装置的功率半导体模块而言,通过例如使电流向一个方向流动的配线电极与电流向与该一个方向相反方向流动的另一配线电极平行并接近,从而消除在各配线电极中产生的电感和感应磁场(例如,参照专利文献1和专利文献2)。

专利文献1:日本特开平9-172139号公报

专利文献2:日本特开2002-353407号公报

发明内容

技术问题

然而,根据功率半导体模块所具有的电路结构,有时不存在能够以消除电感和感应磁场的方式配置的电流路径。例如,在仅有单纯从一个器件向其它器件供给电流的电流路径的情况下,由于没有在相反方向流通大致相同电流的电流路径,所以会对外部或内部的器件产生电感和感应磁场的影响。

技术方案

在本发明的第一形态中,提供一种半导体装置,具备:第一区域的第一器件和第二区域的第二器件;以及将第一器件和第二器件电连接的连接导体,在连接导体中,该连接导体所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分邻接。

(通常的公开)

(项目1)

半导体装置可以具备第一区域的1个以上的第一器件。

半导体装置可以具备第二区域的1个以上的第二器件。

半导体装置可以具备将第一器件和第二器件电连接的连接导体。

在连接导体中,该连接导体所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分可以邻接。

(项目2)

连接导体可以使电流从第一器件流向第二器件。

在连接导体的至少一部分中可以使电流沿着从第二器件朝向第一器件的方向流动。

(项目3)

连接导体可以使电流从第二器件流向第一器件。

在连接导体的至少一部分中可以使电流沿着从第一器件朝向第二器件的方向流动。

(项目4)

连接导体可以具有在第一器件侧朝向远离第二器件的方向的第一电流路径。

连接导体可以具有从第一电流路径折回并朝向接近于第二器件的方向的第二电流路径。

(项目5)

连接导体可以具有在第二器件侧朝向远离第一器件的方向的第三电流路径。

连接导体可以具有从第三电流路径折回并朝向接近于第一器件的方向的第四电流路径。

(项目6)

在连接导体中,相互邻接的电流路径彼此可以形成平行平板结构。

(项目7)

半导体装置在第一区域可以具备多个第一器件。

连接导体可以分别将多个第一器件并联连接。

(项目8)

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680002449.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top