[发明专利]高频溅射装置及溅射方法

说明书

本发明提供一种可尽量抑制处理基板上的反溅射量并高效成膜的高频溅射装置。在真空中向靶(21)施加高频电力并对处理基板(W)的一面(Wa)进行成膜处理的本发明的高频溅射装置(SM)，其具有在处理基板的一面开放且电绝缘的状态下保持处理基板的台架(4)。台架具有位于该处理基板的保持面的凹部(42)，在以处理基板保持为处理基板的外周边部与台架的保持面(41)抵接时处理基板的另一面和凹部的轮廓所限定的空间(43)内，设置可在接近处理基板的方向或远离处理基板的方向上自由移动的与地线连接的可移动体(44)。

技术领域

本发明涉及一种高频溅射装置及溅射方法。

背景技术

这种高频溅射装置例如在专利文献1中已知。该装置在真空室内具有在处理基板的一面开放且在电绝缘的状态下保持处理基板的台架。并且，向抽真空到规定压力的真空室内导入氩气等稀有气体，向靶施加高频电力并溅射靶，使由此产生的溅射粒子附着并堆积在处理基板的一面上，从而形成规定的薄膜。

此时，一旦施加高频电力并溅射靶，则向台架所保持的处理基板施加自偏置电位。因此，通常已知的是通过自偏置电位将等离子体中的稀有气体的离子等引入处理基板，发生堆积在处理基板上的物质被溅射的所谓反溅射的情况。此时，一旦反溅射量增加，则成膜率下降(成膜时间变长)，因此尽量抑制反溅射量是很重要的。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】专利公开2014－91861号公报

发明内容

发明要解决的问题

鉴于以上内容，本发明的课题是提供一种在成膜处理过程中可尽量抑制处理基板上的反溅射量并高效成膜的高频溅射装置及溅射方法。

解决技术问题的手段

为解决上述课题，在真空中向靶施加高频电力并对处理基板的一面进行成膜处理的本发明的高频溅射装置，其具有在处理基板的一面开放且在电绝缘的状态下保持处理基板的台架；所述高频溅射装置，其特征在于：台架具有位于该处理基板的保持面的凹部，在处理基板保持为处理基板的外周边部与台架的保持面抵接时处理基板的另一面和凹部的轮廓所限定的空间内，设置可在接近处理基板的方向或远离处理基板的方向上自由移动的与地线连接的可移动体。

采用本发明，一旦移动设置在台架上的可移动体使其从远离处理基板的位置开始接近，则由于处理基板的另一面和可移动体之间的距离缩短且处理基板和可移动体之间的静电容量增加，所以，与之相应地，可使在施加高频电力溅射靶时施加在处理基板上的自偏置电位下降。其结果是可尽量抑制处理基板上的反溅射量并高效地成膜。

在本发明中，优选在可移动体和地线之间，插设具有规定或可变电阻的电路。作为具有可变电阻的电路，可使用可调整电阻的匹配箱。

在本发明中，优选所述可移动体具有第一可移动部分，其带有与处理基板的中央区域相对的相对面。由此，通过使第一可移动部分在接近处理基板的方向或远离处理基板的方向上移动并控制第一可移动部分和处理基板之间的距离，可使施加在处理基板的中央区域的自偏置电位发生局部变化并控制反溅射量，因此在调整薄膜厚度面内分布时是有利的。此时，具有测量所述相对面和处理基板之间的静电容量的测量装置，如果基于其测量结果求出第一可移动部分的移動量，可精度良好地调整薄膜厚度面内分布。此外，相对面不仅包含由平面构成的相对面，也包含由曲面构成的相对面。

再有，在本发明中，优选还具有在所述第一可移动部分的周围同心配置，且带有与处理基板的中央区域以外的区域相对的规定面积的环形面的至少一个第二可移动部分，第一可移动部分和第二可移动部分分别由驱动装置驱动。由此，通过独立于第一可移动部分而使第二可移动部分在接近处理基板的方向或远离处理基板的方向上移动并分别控制各可移动部分和处理基板之间的距离，可更精细地控制薄膜厚度面内分布，是有利的。