[发明专利]抛光研磨处理中研磨量的模拟方法、抛光研磨装置及研磨量的模拟用存储介质有效
申请号: | 201680003000.4 | 申请日: | 2016-01-18 |
公开(公告)号: | CN107107309B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 山口都章;小畠严贵;水野稔夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | B24B37/34 | 分类号: | B24B37/34;B24B37/10;H01L21/304 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光 研磨 处理 模拟 方法 装置 存储 介质 | ||
1.一种研磨量的模拟方法,对使用尺寸比研磨对象物小的研磨垫来对研磨对象物进行抛光研磨时的研磨量进行模拟,所述模拟方法的特征在于,对抛光研磨中所述研磨垫的一部分超越所述研磨对象物而摆动时的研磨量进行模拟,
所述模拟方法具有以下步骤:
根据研磨垫相对于研磨对象物的突出量,使用压力传感器测定从所述研磨垫施加给研磨对象物的压力分布;
根据突出量及测定出的压力分布,修正用于研磨量的模拟的压力;
按研磨垫相对于研磨对象物的各个突出量,对测定出的施加给研磨对象物的压力分布进行数值化;
按各突出量,将数值化后的压力分布沿着研磨对象物的半径方向进行线性化;
将各突出量的线性化后的压力分布在研磨对象物的对应的半径方向上进行合计;以及
将研磨对象物的对应的半径方向位置处的研磨垫的合计压力分布除以研磨垫相对于研磨对象物的研磨垫滞留距离,来决定压力修正值。
2.根据权利要求1所述的研磨量的模拟方法,其特征在于,
使用压力修正值来计算研磨量,所述压力修正值对所述研磨垫超越所述研磨对象物而摆动时产生的压力集中的影响进行修正。
3.根据权利要求1或2所述的研磨量的模拟方法,其特征在于,
对为了达成被给予的目标研磨量所需的抛光研磨条件进行计算。
4.根据权利要求3所述的研磨量的模拟方法,其特征在于,
被计算的所述抛光研磨条件是所述研磨垫的摆动速度。
5.一种研磨量的模拟用存储介质,其特征在于,
储存计算机程序,该计算机程序包含用于执行如权利要求1至4中任一项所述的模拟方法的命令。
6.一种抛光研磨装置,用于使用尺寸比研磨对象物小的研磨垫来对研磨对象物进行抛光研磨,所述抛光研磨装置的特征在于,
所述抛光研磨装置以在抛光研磨中所述研磨垫的一部分超越所述研磨对象物而摆动的方式构成,
所述抛光研磨装置具有模拟部,所述模拟部以在被给予的抛光研磨条件下,对研磨对象物的研磨量进行模拟的方式构成,
所述模拟的方法具有以下步骤:
根据研磨垫相对于研磨对象物的突出量,使用压力传感器测定从所述研磨垫施加给研磨对象物的压力分布;
根据突出量及测定出的压力分布,修正用于研磨量的模拟的压力;
按研磨垫相对于研磨对象物的各个突出量,对测定出的施加给研磨对象物的压力分布进行数值化;
按各突出量,将数值化后的压力分布沿着研磨对象物的半径方向进行线性化;
将各突出量的线性化后的压力分布在研磨对象物的对应的半径方向上进行合计;以及
将研磨对象物的对应的半径方向位置处的研磨垫的合计压力分布除以研磨垫相对于研磨对象物的研磨垫滞留距离,来决定压力修正值。
7.根据权利要求6所述的抛光研磨装置,其特征在于,
所述模拟部进行压力修正,所述压力修正对所述研磨垫超越所述研磨对象物而摆动时产生的压力集中的影响进行修正。
8.根据权利要求6或7所述的抛光研磨装置,其特征在于,
所述模拟部对为了达成被给予的目标研磨量所需的抛光研磨条件进行计算。
9.根据权利要求8所述的抛光研磨装置,其特征在于,
被计算的所述抛光研磨条件是所述研磨垫的摆动速度。
10.根据权利要求8所述的抛光研磨装置,其特征在于,
具有用于对研磨对象物的研磨量进行测定的传感器,
所述模拟部对关于在计算出的所述抛光研磨条件下抛光研磨后的研磨对象物而测定出的研磨量与所述目标研磨量进行比较,在未达成所述目标研磨量时,根据测定出的所述研磨量及所述目标研磨量,计算所需的抛光研磨条件。
11.根据权利要求9所述的抛光研磨装置,其特征在于,
具有用于对研磨对象物的研磨量进行测定的传感器,
所述模拟部对关于在计算出的所述抛光研磨条件下抛光研磨后的研磨对象物而测定出的研磨量与所述目标研磨量进行比较,在未达成所述目标研磨量时,根据测定出的所述研磨量及所述目标研磨量,计算所需的抛光研磨条件。
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