[发明专利]一种电磁转换器件以及包含这种电磁转换器件的信息存储器

权利要求书

1.一种电磁转换器件，包括：中间层和位于所述中间层两侧的电极层，其中，所述中间层为磁电耦合介质层，其中，所述磁电耦合介质层由具有蝴蝶形非线性回滞曲线的磁电耦合介质材料构成，其中q表示电荷，表示磁通。

2.根据权利要求1所述的电磁转换器件，其中，所述具有蝴蝶形非线性回滞曲线的磁电耦合介质材料为单相磁电耦合材料或者铁磁/铁电复合材料。

3.根据权利要求2所述的电磁转换器件，其中，所述单相磁电耦合材料为CaBaCo₄O₇、Ba_0.5Sr_1.5Co₂Fe₁₁AlO₂₂、Ba_0.5Sr_1.5Zn₂(Fe_0.92Al_0.08)₁₂O₂₂、BaFe_10.4Sc_1.6O₁₉、GaFeO₃或Tb₂(MoO₄)₃。

4.根据权利要求2所述的电磁转换器件，其中所述铁磁/铁电复合材料的铁磁层为Tb_(1-x)Dy_xFe_2-y(0≤x≤1,y≤0.06)、SmFe₂、Tb(CoFe)₂、Tb(NiFe)₂、TbFe₃、Pr₂Co₁₇、Ni_1-xCo_x(0≤x≤1)、Ni_1-xFe_x(0≤x≤1)、Fe_1-xCo_x(0≤x≤1)、FeAl、FeCoV、FeGaB、CoFeB、Fe₈₀B₁₅Si₅、Fe₆₆Co₁₂B₁₄Si₈、Fe₃O₄、CoFe₂O₄或NiFe₂O₄，铁电层为(1-x)Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃–xPbTiO₃(0≤x≤1)、(1-x)Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃–xPbTiO₃(0≤x≤1)、Pb(Zr_1-xTi_x)O₃(0≤x≤1)、(Ba_1-xSr_x)TiO₃(0≤x≤1)、BiFeO₃、LiNbO₃、SrBi₂Ta₂O₉、Ba_xSr_1-xNb₁₀O₃₀(0≤x≤1)、Ba₂NaNb₅O₁₅、磷酸二氢钾(KDP)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚三氟乙烯(PTrFE)、聚偏氟乙烯、聚三氟乙烯的二元共聚物、聚氨脂或奇数尼龙。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的电磁转换器件，其中，所述中间层为片状。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的电磁转换器件，其中，所述电极层为金属材料层。

7.根据权利要求6所述的电磁转换器件，其中，所述金属材料为银或铜或金。