[发明专利]深紫外LED及其制造方法

权利要求书

1.一种深紫外LED，其将设计波长设为λ，

所述深紫外LED的特征在于，

从基板的相反侧按顺序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、以及相对于波长λ透明的p型AlGaN层、多量子势垒层或者电子阻挡层、势垒层、量子阱层，所述p型AlGaN层的膜厚处于100nm以内，具有反射型光子晶体周期结构，该反射型光子晶体周期结构具有多个空孔，所述多个空孔至少包括所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层的界面，并设置于在所述基板方向上未超过所述p型AlGaN层的厚度方向的范围内，当从所述空孔的基板方向上的端面至量子阱层的距离为所述势垒层和所述多量子势垒层或者所述电子阻挡层的膜厚的合计值以上且处于80nm以内、以及其深度h处于所述p型AlGaN层和所述p型GaN接触层的膜厚的合计值以内时，能够获得光提取效率的极大值，并且，所述反射型光子晶体周期结构具有相对于TE偏振分量而形成的光子带隙，所述光子晶体周期结构的周期a相对于所述设计波长为λ的光满足布拉格条件，并且，当布拉格条件式中的次数m满足1≤m≤5、且所述空孔的半径设为R时，满足使得光子带隙最大的R/a。

2.一种深紫外LED，其将设计波长设为λ，

所述深紫外LED的特征在于，

从基板的相反侧按顺序具有反射电极层、极薄膜金属层、以及相对于波长λ透明的p型AlGaN接触层、多量子势垒层或者电子阻挡层、势垒层、量子阱层，所述p型AlGaN接触层的膜厚处于100nm以内，在所述p型AlGaN接触层内具有反射型光子晶体周期结构，该反射型光子晶体周期结构具有多个空孔，所述多个空孔设置于在所述基板方向上未超过所述p型AlGaN接触层的厚度方向的范围内，当从所述空孔的基板方向上的端面至量子阱层的距离为所述势垒层和所述多量子势垒层或者所述电子阻挡层的膜厚的合计值以上且处于80nm以内、以及其深度h处于所述p型AlGaN接触层的膜厚以内时，能够获得光提取效率的极大值，并且，所述反射型光子晶体周期结构具有相对于TE偏振分量而形成的光子带隙，所述光子晶体周期结构的周期a相对于所述设计波长为λ的光满足布拉格条件，并且，当布拉格条件式中的次数m满足1≤m≤5、且所述空孔的半径设为R时，满足使得光子带隙最大的R/a。

3.一种深紫外LED，其将设计波长设为λ，

所述深紫外LED的特征在于，

从基板的相反侧按顺序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、以及相对于波长λ透明的p型AlGaN层、多量子势垒层或者电子阻挡层、势垒层、量子阱层，所述p型AlGaN层的膜厚处于100nm以内，具有反射型光子晶体周期结构，该反射型光子晶体周期结构具有多个空孔，所述多个空孔至少包括所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层的界面，并设置于从在所述基板方向上未超过所述p型AlGaN层的厚度方向将p型GaN接触层以及金属层贯通且到达反射电极层内、但却未超过反射电极层的位置，当从所述空孔的基板方向上的端面至量子阱层的距离为所述势垒层和所述多量子势垒层或者所述电子阻挡层的膜厚的合计值以上、且处于80nm以内时，能够获得光提取效率的极大值，并且，所述反射型光子晶体周期结构具有相对于TE偏振分量而形成的光子带隙，所述光子晶体周期结构的周期a相对于所述设计波长为λ的光满足布拉格条件，并且，当布拉格条件式中的次数m满足1≤m≤5、且所述空孔的半径设为R时，满足使得光子带隙最大的R/a。