[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法

权利要求书

1.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：

准备R-T-B系烧结磁体原材料的工序；

准备Pr-Ga合金的工序；

使所述R-T-B系烧结磁体原材料表面的至少一部分与所述Pr-Ga合金的至少一部分接触，在真空或者非活性气体气氛中，在超过600℃、950℃以下的温度实施第一热处理的工序；和

对于实施了所述第一热处理的R-T-B系烧结磁体原材料，在真空或者非活性气体气氛中，在比实施所述第一热处理的工序中所实施的温度更低的温度、且450℃以上750℃以下的温度实施第二热处理的工序，

所述R-T-B系烧结磁体原材料含有：

R：27.5～35.0质量％、

B：0.80～0.99质量％、

Ga：0～0.8质量％、

M：0～2质量％，

剩余部分包含T和不可避免的杂质，

其中，R为稀土元素中的至少一种且必包含Nd，M为Cu、Al、Nb、Zr的至少一种，T为Fe或者Fe和Co，

并且，所述R-T-B系烧结磁体原材料具有满足后述不等式(1)的组成：

[T]/55.85＞14[B]/10.8 (1)

其中，[T]为以质量％示出的T的含量，[B]为以质量％示出的B的含量，

所述Pr-Ga合金中，Pr为Pr-Ga合金整体的65～97质量％，Pr的20质量％以下可以被Nd置换，Pr的30质量％以下可以被Dy和/或Tb置换，Ga为Pr-Ga合金整体的3质量％～35质量％，Ga的50质量％以下可以被Cu置换，所述Pr-Ga合金可以含有不可避免的杂质。

2.如权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，

所述R-T-B系烧结磁体原材料的Ga量为0～0.5质量％。

3.如权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，

所述Pr-Ga合金的Nd含量为不可避免的杂质含量以下。

4.如权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，

将实施了所述第一热处理的R-T-B系烧结磁体以5℃/分钟以上的冷却速度从实施所述第一热处理的温度起冷却至300℃。

5.如权利要求4所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，

所述冷却速度为15℃/分钟以上。