[发明专利]基板液处理装置及基板液处理方法

说明书

本发明涉及用于蚀刻及清洗半导体用基板的基板液处理装置。基板液处理装置，包括：基板支撑部，在平台部上部隔离并支撑基板，以使处理面向下；旋转驱动部，驱动用于旋转平台部的旋转轴；处理液供给部，向平台部和基板间的处理空间供给混合气体的雾状的处理液或者蒸汽状态的处理液。据此，使基板和平台部间的处理空间气氛变均匀，能够向处理面均匀喷射处理液。

技术领域

本发明涉及基板蚀刻及清洗半导体用基板的基板液处理装置，更详细点说，既能使向基板处理面供给的处理液最小化，也是用于平均液处理的基板液处理装置及方法。

背景技术

为了制造半导体元件，在基板上形成多层薄膜时，蚀刻及清洗工艺是必需的。

一般地说，湿式蚀刻及清洗装置是通过旋转设有支撑基板的卡盘销的平台部，并向基板供给处理液或清洗液而执行蚀刻工艺及清洗工艺，利用平台部周围具有杯状结构的处理液回收部而回收处理液和清洗液。

另外，现有的基板液处理装置，为了实现均匀喷射处理液，处理面朝上，在支持的基板上部，基于基板中心使喷嘴旋转，将处理液均匀供给于处理面。但若在基板上部供给处理液，使用高温液处理时或使用挥发性较强的药液时，随着药液的蒸发或挥发，药液的消耗量增大，处理腔室内部有产生烟气的问题。

现有其他基板液处理装置，处理面朝下而支持基板的状态下，从平台部上部，向处理面的一点以上的位置喷射处理液。

但只向一点以上的位置喷射，均匀地控制基板和平台部之间的氛围十分困难。因此，处理面的均匀液处理有较大问题。

另外，为了提高去除基板上蒸镀的薄膜或光刻胶等的效率，将接近常温的处理液供给于处理面后，将基板加热，在基板和处理液用200℃～240℃的高温状态下加热状态下进行液处理。

但是，将常温的处理液供给于处理面的状态下加热电热器，进行液处理时，基板图案形状发生不良，基板的液处理过程中经常发生不良的情形。

并且，在高温下基板液处理完成后，供给温度相对较低的去离子水，由于加热的处理液和去离子水巨大的温度差异，导致形状变形后基板卡盘销处脱离，或者随着处理液的温度急剧降低，导致处理液粘度增加，有产生颗粒化的问题。

发明内容

(要解决的技术问题)

为了解决上述背景技术的问题点，本发明的目的在于，提供一种基板液处理装置，既能将处理液的使用量最小化，也能使基板和平台部之间的处理空间气氛均匀，提升基板的液处理效率。

并且，本发明的目的在于，提供一种基板液处理的方法，在处理液供给于处理面状态下，加热电热器进行液处理时，能防止基板图案形状发生不良。

并且，本发明的目的在于，提供一种基板液处理的方法，处理液供给于基板，用高温进行液处理后，供给温度相对较低的清洗液之前，通过降低基板的温度，防止颗粒化问题或基板的破损。

(解决问题的手段)

用于解决上述技术问题的本发明的基板液处理装置，包括：基板支撑部，位于供给处理液于基板处理面而进行液处理的基板液处理装置中，在平台部上部隔离并支撑基板，使处理面向下；旋转驱动部，用于驱动所述旋转平台部的旋转轴；及处理液供给部，将气体混合雾状处理液或蒸汽状态的处理液，供给于所述平台部与所述基板之间处理空间。

优选地，所述处理液供给部，从所述平台部上部，向所述处理面喷射处理液。

优选地，所述处理液供给部，将液体状态的处理液与惰性气体混合喷射。

优选地，所述处理液由至少两种药液组成，所述处理液供给部，将所述药液混合后，喷射前与所述惰性气体混合喷射。

优选地，包括：加热部，将所述基板或者所述处理液中至少某一个进行加热。