[发明专利]电极、其制造方法、通过所述方法制造的电极和包含所述电极的二次电池

权利要求书

1.一种电极，包含：

电极集电器；

在所述电极集电器的表面上形成的金属纳米线，其中所述金属纳米线是选自硅纳米线、锡纳米线、铝纳米线和锗纳米线中的至少一种；和

围绕所述金属纳米线外部的导电层，其中所述导电层是石墨烯层，

其中在所述金属纳米线和所述导电层之间形成有间隙，使得所述金属纳米线和所述导电层彼此隔开而在它们之间没有直接接触，且

其中所述金属纳米线的长轴方向与所述电极集电器的表面形成40至140°的角度。

2.根据权利要求1所述的电极，其中所述金属纳米线是锗纳米线。

3.根据权利要求1所述的电极，其中所述金属纳米线在所述电极集电器的表面上以向上方向或向下方向形成。

4.根据权利要求1所述的电极，其中所述电极集电器是选自下列中的至少一种：铜；不锈钢；铝；镍；钛；烧结碳；和铝-镉合金。

5.根据权利要求4所述的电极，其中所述不锈钢是用碳、镍、钛或银表面处理过的不锈钢。

6.一种二次电池，包含权利要求1至5中任一项所述的电极。

7.一种电极制造方法，所述方法包括：

以面向电极集电器的表面的向上方向或向下方向的方式沉积金属纳米线；

通过将所述金属纳米线的一部分表面氧化而形成金属氧化物纳米线层；

在所述金属氧化物纳米线层的表面上涂布碳类导电层；和

通过除去所述金属氧化物纳米线层从而在所述金属纳米线和所述导电层之间形成间隙，

其中所述金属纳米线是选自硅纳米线、锡纳米线、铝纳米线和锗纳米线中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属纳米线通过化学气相沉积而沉积在所述电极集电器的表面上。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属氧化物纳米线层通过溶解在水中而被除去。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属纳米线是锗纳米线。

11.根据权利要求7所述的方法，其中所述导电层是石墨烯层。

12.根据权利要求7所述的方法，其中所述电极集电器是选自下列中的至少一种：铜；不锈钢；铝；镍；钛；烧结碳；和铝-镉合金。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述不锈钢是用碳、镍、钛或银表面处理过的不锈钢。

14.一种电极，其通过权利要求7至13中任一项所述的制造方法制造。

15.一种二次电池，包含权利要求14所述的电极。