[发明专利]膜状粘接剂复合片及半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及一种膜状粘接剂复合片，其具备：具有基材的支撑片、以及设置在所述支撑片上且厚度为1～50μm的固化性的膜状粘接剂，其中，所述支撑片和所述膜状粘接剂的界面的剥离力为0.02～0.2N/25mm，所述膜状粘接剂具有以下特性：将固化前的所述膜状粘接剂按照总厚度为200μm的方式叠层而成的叠层体的断裂伸长率为450％以下。

技术领域

本发明涉及膜状粘接剂复合片、以及使用了该膜状粘接剂复合片的半导体装置的制造方法。

本申请主张2015年3月4日在日本提出申请的日本特愿2015-042647号的优先权，在此援引其内容。

背景技术

半导体装置的制造工序中，作为获得用于管芯焊接的粘贴有膜状粘接剂的半导体芯片的方法之一，包括具有以下工序的方法：在通过切割而预先分割过的多个半导体芯片上粘贴膜状粘接剂，然后将该膜状粘接剂切断。在该方法中，使用在支撑片上设置有膜状粘接剂的膜状粘接剂复合片，将其1张膜状粘接剂粘贴于多个半导体芯片上。半导体芯片通过例如以下方法来制作：从半导体晶片的表面形成槽，再对背面侧进行磨削直至到达该槽。切断后的粘贴有膜状粘接剂的半导体芯片连同膜状粘接剂一起从支撑片上分离(拾取)，用于管芯焊接。

在上述方法中，作为将膜状粘接剂切断的方法，已知有例如以下方法：对膜状粘接剂照射激光而切断的方法、通过对支撑片进行扩片来进行切断的方法。但是，照射激光的方法存在需要激光照射装置、并且无法以短时间效率良好地切断这样的问题。另外，进行扩片的方法存在需要扩片装置、并且切断面有时变粗糙这样的问题。此外，由于在扩片时力仅对与膜状粘接剂同一面的方向发生作用，因此膜状粘接剂有可能与支撑片一起仅仅是伸长而未被切断。因此，有时将膜状粘接剂冷却而变得容易切断后再进行扩片，但该情况下需要冷却工序，生产性变差。

作为能够解决这些问题的方法，公开了以下方法：使用特定厚度及拉伸断裂伸长率的膜状粘接剂，利用拾取半导体芯片时所产生的剪切力，将膜状粘接剂切断(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-179317号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，专利文献1中没有例如对于支撑片和膜状粘接剂的界面的剥离力的记载，对该方法而言，并不确定切断后的粘贴有膜状粘接剂的半导体芯片是否能够切实地从支撑片上拾取。

本发明是鉴于上述情况而进行的，其课题在于提供一种膜状粘接剂复合片、使用了该膜状粘接剂复合片的半导体装置的制造方法，该膜状粘接剂复合片在支撑片上设置有膜状粘接剂，在制造半导体装置时，能够以简便的方法将粘贴有膜状粘接剂的半导体芯片从支撑片上分离。

解决问题的方法

为了解决上述课题，本发明提供例如以下(1)～(3)的膜状粘接剂复合片及(4)的半导体装置的制造方法。

(1)本发明的第一方式的膜状粘接剂复合片具备：具有基材的支撑片、以及设置在所述支撑片上且厚度为1～50μm的固化性的膜状粘接剂，其中，所述支撑片和所述膜状粘接剂的界面的剥离力为0.02～0.2N/25mm，

所述膜状粘接剂具有以下特性：

将固化前的所述膜状粘接剂按照总厚度为200μm的方式叠层而成的叠层体的断裂伸长率为450％以下。

(2)在上述(1)的膜状粘接剂复合片中，所述支撑片可以由所述基材构成，且所述膜状粘接剂直接接触地设置在所述基材上。

(3)在上述(1)或(2)的膜状粘接剂复合片中，在未对所述膜状粘接剂复合片照射能量线的状态下，所述支撑片和所述膜状粘接剂的界面的剥离力可以为0.02～0.2N/25mm。