[发明专利]氧化物烧结材料、氧化物烧结材料的制造方法、溅射靶和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结材料，所述氧化物烧结材料包含：

第一晶相，所述第一晶相为所述氧化物烧结材料的主要成分并包含方铁锰矿型晶相；和

第二晶相，所述第二晶相的锌的含量比所述第一晶相的锌的含量高，

所述第二晶相包含平均长轴尺寸为3μm以上且50μm以下并且平均长径比为4以上且50以下的粒子，且

所述氧化物烧结材料中的锌对钨的原子比为3.8以上且小于100。

2.根据权利要求1所述的氧化物烧结材料，其中，

所述氧化物烧结材料在X射线衍射中的2θ大于34.74°且小于34.97°的位置处具有第一衍射峰，并且在2θ大于31.77°且小于32.00°的位置处具有第二衍射峰，且

所述第一衍射峰的峰值强度Ia对所述第二衍射峰的峰值强度Ib之比Ia/Ib为0.05以上且3以下。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结材料，其中，

所述氧化物烧结材料的表观密度为大于6.4g/cm³且小于等于7.5g/cm³，

所述氧化物烧结材料中的钨的相对于铟、钨和锌的总量的含量为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，且

所述氧化物烧结材料中的锌的相对于铟、钨和锌的总量的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％。

4.一种溅射靶，所述溅射靶包含权利要求1～3中任一项所述的氧化物烧结材料。

5.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包含氧化物半导体膜，所述制造方法包括：

准备权利要求4所述的溅射靶；和

使用所述溅射靶通过溅射法形成所述氧化物半导体膜。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述氧化物半导体膜中的钨的相对于铟、钨和锌的总量的含量为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，

所述氧化物半导体膜中的锌的相对于铟、钨和锌的总量的含量为大于等于1原子％且小于50原子％，且

所述氧化物半导体膜中的锌对钨的原子比为大于1.0且小于100。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述氧化物半导体膜由纳米晶体氧化物和无定形氧化物中的至少一种构成。

8.一种氧化物烧结材料的制造方法，其为权利要求1～3中任一项所述的氧化物烧结材料的制造方法，所述制造方法包括：

制备氧化铟粉末和氧化钨粉末的一次混合物的步骤；

通过对所述一次混合物进行加热而形成煅烧粉末的步骤；

制备包含所述煅烧粉末的原料粉末的二次混合物的步骤；

通过将所述二次混合物成型而形成成型体的步骤；以及

通过对所述成型体进行烧结而形成氧化物烧结材料的步骤，

形成所述煅烧粉末的步骤包括通过在含氧气氛中在大于等于700℃且小于1400℃的温度下对所述一次混合物进行加热而形成含有铟和钨的复合氧化物的粉末作为所述煅烧粉末。

9.根据权利要求8所述的氧化物烧结材料的制造方法，其中，

所述复合氧化物包含In₆WO₁₂型晶相。

10.一种氧化物烧结材料的制造方法，其为权利要求1～3中任一项所述的氧化物烧结材料的制造方法，所述制造方法包括：

制备氧化锌粉末和氧化钨粉末的一次混合物的步骤；

通过对所述一次混合物进行加热而形成煅烧粉末的步骤；

制备包含所述煅烧粉末的原料粉末的二次混合物的步骤；

通过将所述二次混合物成型而形成成型体的步骤；以及

通过对所述成型体进行烧结而形成氧化物烧结材料的步骤，

形成所述煅烧粉末的步骤包括通过在含氧气氛中在大于等于550℃且小于1200℃的温度下对所述一次混合物进行加热而形成含有锌和钨的复合氧化物的粉末作为所述煅烧粉末。