[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201680003911.7 | 申请日: | 2016-06-13 |
公开(公告)号: | CN107005234B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 手塚伸一;大桥英知 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H03K17/08 | 分类号: | H03K17/08;H02M1/08;H03K17/687 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡秋瑾 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
高侧驱动电路,该高侧驱动电路根据高侧逻辑信号驱动以图腾柱方式连接的高侧功率器件;
高侧电位检测电路,该高侧电位检测电路检测高侧电位;
高侧电位判定电路,该高侧电位判定电路根据所述高侧电位检测电路所检测出的所述高侧电位的变化,输出事件信号;
低侧驱动电路,该低侧驱动电路根据低侧逻辑信号驱动以图腾柱方式连接的低侧功率器件;
过电流检测电路,该过电流检测电路在输入表示所述低侧功率器件的主电流电流值的电流信号,并检测出过电流时,输出用于断开所述低侧功率器件的过电流检测信号;以及
过电流检测判定电路,该过电流检测判定电路基于所述高侧逻辑信号以及所述事件信号,判定是否将所述过电流检测信号传输至所述低侧驱动电路,
所述过电流检测判定电路使所述事件信号输出前因所述低侧功率器件导通而检测到的所述过电流检测信号无效。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述过电流检测判定电路具有:第1逆变器,该第1逆变器输入所述高侧逻辑信号;第1与电路,该第1与电路的一个输入连接所述第1逆变器的输出,另一个输入中输入所述事件信号;第2逆变器,该第2逆变器的输入连接所述第1与电路的输出;以及第2与电路,该第2与电路的一个输入连接所述第2逆变器的输出,另一个输入中输入来自所述过电流检测电路的所述过电流检测信号,其输出与所述低侧驱动电路连接。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述过电流检测判定电路还具有RS触发器,该RS触发器配置于所述第1与电路与所述第2逆变器之间,设置端子与所述第1与电路的输出连接,复位端子以接收所述低侧逻辑信号的反转信号的方式连接,其输出与所述第2逆变器的输入连接。
4.如权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于,
所述过电流检测电路具有比较器,该比较器将所述电流信号和过电流检测阈值进行比较;RS触发器,当所述电流信号超过了所述过电流检测阈值时,该RS触发器保持所述比较器输出的过电流检测状态信号,并输出所述过电流检测信号;延迟电路,该延迟电路将所述过电流检测信号延迟规定时间;第3逆变器,该第3逆变器的输入连接所述比较器的输出;以及第3与电路,该第3与电路的一个输入连接所述延迟电路的输出,另一个输入连接所述第3逆变器的输出,其输出与所述RS触发器的复位端子连接。
5.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述高侧电位检测电路检测高侧基准电位或高侧电源电位作为所述高侧电位。
6.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述事件信号是所述高侧电位上升后即被触发的上升沿触发电路的输出信号。
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