[发明专利]一锅法有机聚合物表面的活化和纳米颗粒的还原在审
申请号: | 201680004258.6 | 申请日: | 2016-01-08 |
公开(公告)号: | CN108886095A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 格涅沙·卡纳安;伊哈卜·乌达;尼丁·乔普拉 | 申请(专利权)人: | 沙特基础工业全球技术公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 刘晶晶;刘继富 |
地址: | 荷兰贝亨*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机聚合物 纳米材料 还原 附着 活化 有机聚合物表面 反应条件 纳米颗粒 还原剂 一锅法 | ||
1.一种将可还原的纳米材料附着于有机聚合物的方法,所述方法包括在足以还原纳米材料、活化有机聚合物、并且在反应期间将经还原的纳米材料附着于有机聚合物的反应条件下,使包含可还原的纳米材料和有机聚合物的反应混合物经受还原剂。
2.根据权利要求1所述的方法,其还包括通过将所述可还原的纳米材料沉积在所述有机聚合物上而获得所述反应混合物。
3.根据权利要求2所述的方法,其中在所述可还原的纳米材料已经被沉积在所述有机聚合物上之后或在所述可还原的纳米材料沉积在所述有机聚合物期间,用所述还原剂处理所述反应混合物。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述可还原的纳米材料是含氧碳纳米结构、含缺陷的碳纳米管、过渡金属化合物或过渡金属氧化物。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述可还原的材料包含其他纳米结构,其中所述纳米结构和/或其他纳米结构是纳米棒、纳米线、纳米颗粒、量子点、或其任意组合。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述其他纳米结构包括金属氧化物、金属、双金属化合物、三金属化合物、合金、基于碳的化合物、碳化物、硫属化合物、或其任意组合。
7.根据权利要求4所述的方法,其中所述含氧碳纳米结构是氧化石墨烯。
8.根据权利要求4所述的方法,其中所述过渡金属化合物或所述过渡金属氧化物包含钒。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述有机聚合物是热塑性聚合物或其共混物。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述还原剂是含氮化合物,其中所述含氮化合物包括一元胺、二元胺、多胺、肼、一水合肼、二酰亚胺、或其混合物,优选一水合肼。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述纳米材料事先未经还原或活化。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述有机聚合物是有机聚合物基底的形式,且所述经还原的纳米材料在反应后附着于所述基底的表面。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述基底是膜、片或纤维网的形式。
14.根据权利要求1所述的方法,其中所述经还原的纳米材料共价地附着于所述有机聚合物,或所述经还原的材料在反应后经由氢键或氢键与共价键的组合附着于所述有机聚合物。
15.根据权利要求1所述的方法,其中所述反应混合物是水性混合物。
16.一种聚合物材料,其中经还原的氧化石墨烯附着于有机聚合物的表面,其中所述聚合物材料通过权利要求1所述的方法制备。
17.根据权利要求16所述的聚合物材料,其中所述聚合物材料包含在电子设备中,优选包含在光电子设备中。
18.根据权利要求16所述的聚合物材料,其中所述聚合物材料是电极。
19.根据权利要求18所述的聚合物材料,其中所述电极在电容器中。
20.根据权利要求18所述的聚合物材料,其中所述电极是透明电极。
21.根据权利要求20所述的聚合物材料,其中所述透明电极被用作光伏设备中的顶电极,其中所述光伏设备包括不透明或反射的底电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沙特基础工业全球技术公司,未经沙特基础工业全球技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680004258.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择