[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

栅极沟槽部，其形成于所述半导体基板的表面；

虚设沟槽部，其形成于所述半导体基板的表面；以及

第一表面侧电极，其形成于所述半导体基板的表面的上方，且包含金属；

所述栅极沟槽部具有：

栅极沟槽，其形成于所述半导体基板的表面；

栅极导电部，其形成于所述栅极沟槽的内部；以及

栅极绝缘部，其在所述栅极沟槽的内部形成于所述栅极导电部的上方，且将所述栅极导电部与所述第一表面侧电极绝缘；

所述虚设沟槽部具有：

虚设沟槽，其形成于所述半导体基板的表面；以及

虚设导电部，其形成于所述虚设沟槽的内部，从所述虚设沟槽的底部形成到所述虚设沟槽的中间部分，且与所述第一表面侧电极接触，

所述栅极沟槽形成至比所述虚设沟槽深的位置，

所述虚设沟槽部还具有覆盖虚设沟槽的内壁而形成的第一绝缘膜、在所述虚设沟槽的内部形成于所述虚设导电部的上方并且被设置为覆盖第一绝缘膜的内侧的第二绝缘部，

所述第二绝缘部具有贯通孔，

所述第一表面侧电极的一部分通过所述第二绝缘部的所述贯通孔接触于所述虚设导电部，

所述第二绝缘部的所述虚设沟槽的开口侧的端面的至少一部分是与所述半导体基板的表面相同的高度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极沟槽的宽度大于所述虚设沟槽的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述虚设导电部的靠所述虚设沟槽的开口侧的端面的至少一部分与所述半导体基板的表面是相同的高度，

所述第一表面侧电极与所述虚设导电部的所述端面接触。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述虚设导电部的靠所述虚设沟槽的开口侧的端面的至少一部分与所述半导体基板的表面是相同的高度，

所述第一表面侧电极与所述虚设导电部的所述端面接触。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极绝缘部的靠所述栅极沟槽的开口侧的端面的至少一部分与所述半导体基板的表面是相同的高度，

所述第一表面侧电极与所述栅极绝缘部的所述端面接触。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极绝缘部的靠所述栅极沟槽的开口侧的端面的至少一部分与所述半导体基板的表面是相同的高度，

所述第一表面侧电极与所述栅极绝缘部的所述端面接触。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极导电部与所述虚设导电部由相同的材料形成。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述虚设沟槽部在所述半导体基板的表面沿预定的延伸方向延伸而形成，

所述栅极沟槽部具有：

对置部，其在与所述虚设沟槽部相对的范围沿所述延伸方向延伸而形成；以及

突出部，其从所述对置部进一步延伸而形成于与所述虚设沟槽不相对的范围，

所述半导体装置还具备形成于所述突出部的上方的第二表面侧电极，

所述突出部的所述栅极导电部与所述第二表面侧电极电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

在所述突出部的一部分，不设置所述栅极绝缘部，所述栅极导电部与所述第二表面侧电极接触。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

在所述突出部的所述一部分，所述栅极导电部的靠所述栅极沟槽的开口侧的端面的至少一部分与所述半导体基板的表面是相同的高度，

所述第二表面侧电极与所述栅极导电部的所述端面接触。