[发明专利]陶瓷基板、电子部件及陶瓷基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具备陶瓷绝缘层和形成在陶瓷绝缘层的一主面上的电极的陶瓷基板、具备该基板的电子部件及该基板的制造方法。

背景技术

以往，提供一种具备如下构造的电子部件500：如图7所示，在被盖部件501密闭的陶瓷基板502的空腔503内，配置有晶体振荡器、弹性波器件、MEMS器件等具有进行振动的部位的器件504(例如参照专利文献1)。具体来说，在形成于陶瓷基板502的规定区域的空腔503周围所设置的堤部的上表面，形成有环状的金属化层505，以便在俯视时包围空腔503，并且在金属化层505上形成有环状的镀覆层506。

此外，在盖部件501的下表面的与镀覆层506对置的位置，通过金属钎焊、焊料钎焊形成有环状的金属膜层507。而且，在陶瓷基板502上配置盖部件501以便将空腔503封闭的状态下，镀覆层506(金属化层505)与金属膜层507通过缝焊而接合，由此将空腔503密闭。

此外，在空腔503的底部形成有焊盘电极508，在陶瓷基板502的下表面形成有外部连接用的连接盘电极509，焊盘电极508与连接盘电极509通过陶瓷基板502内的导通孔导体510而电连接。而且，在空腔503内，器件504通过导电性的接合材料511与焊盘电极508电连接。

专利文献1：日本特开2001-196485号公报(段落0016～0022、图1、2、说明书摘要等)。

另外，为了提升镀覆层506和陶瓷基板502的密接性，提升由盖部件501实现的空腔503的密闭性，在形成陶瓷基板502后，在陶瓷基板502的上表面形成金属化层505以便包围空腔503，在金属化层505上形成镀覆层506。然而，在现有的结构中，例如，因在镀覆层506与通过金属钎焊、焊料钎焊而形成的金属膜层507的接合时产生较大的应力，从而有可能在形成有金属化层505的陶瓷绝缘层(陶瓷基板502)产生裂缝、缺口等构造缺陷。因此，例如，有可能由于空气等气体经由陶瓷绝缘层通过，从而空腔503的密闭性劣化。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种通过形成用以提高电极相对于陶瓷绝缘层的密接性的密接层，能够抑制在陶瓷绝缘层产生构造缺陷，能够使配置有电极的部分中的陶瓷绝缘层的构造致密化的技术。

发明内容

为了达成上述目的，本发明所涉及的陶瓷基板具备陶瓷绝缘层和形成于上述陶瓷绝缘层的一主面上的电极，上述陶瓷基板的特征在于，在上述电极和上述陶瓷绝缘层之间具备烧制玻璃膏而成的密接层。

此外，本发明所涉及的陶瓷基板的制造方法的特征在于，具备：密接层形成工序，在构成陶瓷绝缘层的陶瓷生片的一主面上印刷玻璃膏来形成密接层；电极形成工序，在上述玻璃膏上印刷导电膏来形成电极；以及烧制工序，同时烧制上述陶瓷生片、上述密接层和上述电极。

在像这样构成的发明中，在电极和陶瓷绝缘层之间配置有烧制玻璃膏而成的密接层，因此能够提升电极相对于陶瓷绝缘层的密接性。此外，在电极、陶瓷绝缘层及密接层同时被烧制的时候，形成密接层的玻璃膏进行烧结所需的时间比电极及陶瓷绝缘层进行烧结所需的时间长，因而因烧制时的电极及陶瓷绝缘层各自的收缩率的差引起而产生的应力被烧结前的密接层吸收从而缓和。因此，能够抑制因收缩率的差引起而产生的应力在烧制时妨碍收缩而导致在陶瓷绝缘层的配置有电极的部分产生空隙、缺陷等构造缺陷，因而能够通过密接层使该部分的陶瓷绝缘层的构造致密化。

此外，也可以构成为：上述电极的俯视时的面积比上述密接层小，在俯视时，上述电极被配置于上述密接层的内侧。

若像这样构成，则密接层遍及电极下表面的整个面地密接，从而能够进一步有效地提升电极相对于陶瓷绝缘层的密接性。

此外，本发明所涉及的电子部件具备技术方案1或2所记载的陶瓷基板，上述电子部件的特征在于，具备：盖部件；以及器件，其具有振动的部位，上述电极在上述密接层上形成为环状，其中上述密接层形成为环状，以便包围上述陶瓷绝缘层的一主面上的规定区域，上述盖部件配置在上述电极上以便覆盖上述规定区域，并且通过焊料与上述电极接合，在上述盖部件与上述陶瓷绝缘层的一主面之间由上述电极包围形成的空间，配置有上述器件。

在像这样构成的发明中，通过在供盖部件接合的环状的电极与陶瓷绝缘层之间以环状形成有密接层，从而使配置有电极的部分的陶瓷绝缘层的构造致密化。因此，能够在形成有电极的部分抑制空气等气体通过陶瓷绝缘层，因此能够以低成本来提升在盖部件与陶瓷绝缘层的一主面之间由电极包围形成的空间的密封性(气密密闭性)。