[发明专利]芯片接合装置以及芯片接合方法有效
申请号: | 201680004693.9 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN107112248B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 中村照幸;关野章良;谷口英广 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘文海 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 接合 装置 以及 方法 | ||
1.一种芯片接合装置,其向第一部件接合第二部件,其特征在于,具备:
载置台,其将所述第一部件载置于载置区域;
加热器,其设置在所述载置台的下侧;
侧壁,其设置为包围所述载置台的载置区域;
盖,其具有能够供所述第一部件以及第二部件通过的大小的孔,且载置于所述侧壁;
夹头,其能够利用前端部对所述第二部件进行真空夹紧,从而对所述第二部件进行保持;
移动机构,其使所述夹头移动,以使所述夹头保持的所述第二部件通过所述孔而与所述第一部件接合;以及
气体供给管,其设置于所述侧壁,向由所述侧壁与所述盖形成的加热空间供给加热气体,
所述盖包括能够对由所述加热器以及所述加热气体产生的红外线辐射进行反射、或吸收-再辐射的材料。
2.根据权利要求1所述的芯片接合装置,其特征在于,
所述盖由所述材料构成。
3.根据权利要求1所述的芯片接合装置,其特征在于,
所述盖包括由所述材料构成的层。
4.根据权利要求1所述的芯片接合装置,其特征在于,
所述材料是金属、陶瓷、耐热树脂以及碳中的至少一方。
5.根据权利要求1所述的芯片接合装置,其特征在于,
所述侧壁具有多层构造。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片接合装置,其特征在于,
所述气体供给管设置为,向从所述盖侧观察时避开所述盖的孔的方向喷射所述加热气体。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片接合装置,其特征在于,
所述气体供给管设置为,朝向所述载置台侧喷射所述加热气体。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片接合装置,其特征在于,
所述加热气体是非活性气体、还原性气体、或者非活性气体与还原性气体的混合气体。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片接合装置,其特征在于,
所述夹头的进行真空夹紧的面积比所述第二部件被真空夹紧的面的面积小。
10.根据权利要求9所述的芯片接合装置,其特征在于,
所述夹头是圆夹头。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片接合装置,其特征在于,
所述夹头的前端部由树脂构成。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片接合装置,其特征在于,
所述第二部件的长度方向上的尺寸为4mm以上。
13.一种芯片接合方法,向第一部件接合第二部件,其特征在于,包括:
载置工序,将所述第一部件载置于载置台的载置区域;
加热工序,通过加热器对所述第一部件进行加热;
气体供给工序,向加热空间供给加热气体,所述加热空间由所述载置台、设置为包围所述载置台的载置区域的侧壁、以及具有能够供所述第一部件以及第二部件通过的大小的孔且载置于所述侧壁的盖形成;以及
接合工序,使由夹头保持的所述第二部件通过所述盖的孔并向所述加热空间内导入,使所述第二部件与所述第一部件接触而进行接合,
所述盖包括能够对由所述加热器以及所述加热气体产生的红外线辐射进行反射、或吸收-再辐射的材料。
14.根据权利要求13所述的芯片接合方法,其特征在于,
在所述加热空间内使所述第二部件以第一速度移动,之后,使所述第二部件以比所述第一速度快的第二速度移动并与所述第一部件接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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