[发明专利]钽溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201680004783.8 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107109634B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 永津光太郎;仙田真一郎 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C27/02;C22F1/00;C22F1/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
1.一种钽溅射靶，其特征在于，使用背散射电子衍射法观察与靶的溅射面垂直的截面时，在与靶的溅射面垂直的截面中观察到的{100}面沿轧制面法线方向ND取向的晶粒的总面积相对于所观察的与靶的溅射面垂直的截面的总面积的面积率为30％以上，并且在与靶的溅射面垂直的截面中观察到的{100}面沿ND取向的晶粒的总面积相对于所观察的与靶的溅射面垂直的截面的总面积的面积率与在与靶的溅射面垂直的截面中观察到的{111}面沿ND取向的晶粒的总面积相对于所观察的与靶的溅射面垂直的截面的总面积的面积率之比{100}/{111}为2.96以上。
2.如权利要求1所述的钽溅射靶，其特征在于，在与靶的溅射面垂直的截面中观察到的{100}面沿轧制面法线方向ND取向的晶粒的总面积相对于所观察的与靶的溅射面垂直的截面的总面积的面积率为47.4％以上。
3.如权利要求1所述的钽溅射靶，其特征在于，在与靶的溅射面垂直的截面中观察到的{100}面沿ND取向的晶粒的总面积相对于所观察的与靶的溅射面垂直的截面的总面积的面积率与在与靶的溅射面垂直的截面中观察到的{111}面沿ND取向的晶粒的总面积相对于所观察的与靶的溅射面垂直的截面的总面积的面积率之比{100}/{111}为3.46以下。
4.如权利要求1所述的钽溅射靶，其特征在于，在与靶的溅射面垂直的截面中观察到的{100}面沿轧制面法线方向ND取向的晶粒的总面积相对于所观察的与靶的溅射面垂直的截面的总面积的面积率小于60％。
5.一种钽溅射靶，其特征在于，使用背散射电子衍射法观察与靶的溅射面垂直的截面时，在与靶的溅射面垂直的截面中观察到的{100}面沿轧制面法线方向ND取向的晶粒的总面积相对于所观察的与靶的溅射面垂直的截面的总面积的面积率为42.7％以上。
6.如权利要求5所述的钽溅射靶，其特征在于，在与靶的溅射面垂直的截面中观察到的{100}面沿ND取向的晶粒的总面积相对于所观察的与靶的溅射面垂直的截面的总面积的面积率与在与靶的溅射面垂直的截面中观察到的{111}面沿ND取向的晶粒的总面积相对于所观察的与靶的溅射面垂直的截面的总面积的面积率之比{100}/{111}为3.46以下。
7.如权利要求5所述的钽溅射靶，其特征在于，在与靶的溅射面垂直的截面中观察到的{100}面沿轧制面法线方向ND取向的晶粒的总面积相对于所观察的与靶的溅射面垂直的截面的总面积的面积率小于60％。
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