[发明专利]压电膜以及压电振子有效

专利信息
申请号: 201680004869.0 申请日: 2016-01-05
公开(公告)号: CN107112977B 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 会田康弘;梅田圭一 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/24 分类号: H03H9/24;C23C14/06;H03H9/17
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 压电 以及
【权利要求书】:

1.一种压电膜,含有:

AlN结晶;

至少一种第一元素,其在上述AlN结晶中与Al进行置换;以及

第二元素,其具有比上述第一元素的离子半径小且比Al的离子半径大的离子半径,该第二元素被添加到上述AlN结晶,

上述第一元素是Sc,在上述压电膜中上述Sc的原子数相对于上述Al的原子数与上述Sc的原子数的总量,所占的比例在0.03以上0.50以下,

上述第二元素的配位数限定为4。

2.根据权利要求1所述的压电膜,其中,

上述第二元素作为三价阳离子而存在。

3.根据权利要求1或2所述的压电膜,其中,

上述第二元素是从W、Zr、Fe、Ta、Cr、Ti以及Ni中选择的至少一种元素。

4.根据权利要求1所述的压电膜,其中,

在上述压电膜中上述第二元素的原子数相对于上述Al的原子数与上述第一元素的原子数的总量的比率在0.01at%以上1.00at%以下。

5.一种压电振子,具备:

压电膜;和

夹着上述压电膜的一对电极,

上述压电膜含有:

AlN结晶;

至少一种第一元素,其在上述AlN结晶中与Al进行置换;以及

第二元素,其具有比上述第一元素的离子半径小且比Al的离子半径大的离子半径,该第二元素被添加到上述AlN结晶,

上述第一元素是Sc,在上述压电膜中上述Sc的原子数相对于上述Al的原子数与上述Sc的原子数的总量,所占的比例在0.03以上0.50以下,

上述第二元素的配位数限定为4。

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