[发明专利]压电膜以及压电振子有效
申请号: | 201680004869.0 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN107112977B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 会田康弘;梅田圭一 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/24 | 分类号: | H03H9/24;C23C14/06;H03H9/17 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 以及 | ||
1.一种压电膜,含有:
AlN结晶;
至少一种第一元素,其在上述AlN结晶中与Al进行置换;以及
第二元素,其具有比上述第一元素的离子半径小且比Al的离子半径大的离子半径,该第二元素被添加到上述AlN结晶,
上述第一元素是Sc,在上述压电膜中上述Sc的原子数相对于上述Al的原子数与上述Sc的原子数的总量,所占的比例在0.03以上0.50以下,
上述第二元素的配位数限定为4。
2.根据权利要求1所述的压电膜,其中,
上述第二元素作为三价阳离子而存在。
3.根据权利要求1或2所述的压电膜,其中,
上述第二元素是从W、Zr、Fe、Ta、Cr、Ti以及Ni中选择的至少一种元素。
4.根据权利要求1所述的压电膜,其中,
在上述压电膜中上述第二元素的原子数相对于上述Al的原子数与上述第一元素的原子数的总量的比率在0.01at%以上1.00at%以下。
5.一种压电振子,具备:
压电膜;和
夹着上述压电膜的一对电极,
上述压电膜含有:
AlN结晶;
至少一种第一元素,其在上述AlN结晶中与Al进行置换;以及
第二元素,其具有比上述第一元素的离子半径小且比Al的离子半径大的离子半径,该第二元素被添加到上述AlN结晶,
上述第一元素是Sc,在上述压电膜中上述Sc的原子数相对于上述Al的原子数与上述Sc的原子数的总量,所占的比例在0.03以上0.50以下,
上述第二元素的配位数限定为4。
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