[发明专利]抛光布整理方法以及抛光方法

权利要求书

1.一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光；

接着，对于借由该假抛光而蓄积于该抛光布中的抛光残渣进行去除处理；

接着，测定该抛光布中的抛光残渣量，且基于该所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态；

其中，预先地使用经单独进行另外地修整后的聚胺酯树脂制的基准用抛光布而进行硅晶圆的抛光，且通过与该假抛光后的去除处理相同方式进行抛光残渣的去除处理，并进行该去除处理后的抛光残渣量的测定；

先求出基准用抛光布的使用时间除以预先设定好的基准用抛光布的寿命的值在0.05的时间点时基准用抛光布中的抛光残渣量予以作为基准值，以在该假抛光及去除处理后所测定出的抛光残渣量为在该基准值以上时，则判定经进行该假抛光的抛光布为经整理。

2.如权利要求1所述的抛光布整理方法，其中

自通过荧光X射线分析法所得到的荧光X射线频谱所检测出包含Si-Kα射线的讯号，而测定该抛光残渣量。

3.如权利要求1或2所述的抛光布整理方法，其中

通过修整以及高压喷射水洗净来进行该抛光残渣的去除处理。

4.如权利要求1或2所述的抛光布整理方法，其中

该抛光机设为双面抛光机。

5.如权利要求3所述的拋光布整理方法，其中

该抛光机系设为双面抛光机。

6.一种抛光方法，使用抛光布抛光硅晶圆，该抛光方法包含：

将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光；

接着，对于借由该假抛光而蓄积于该抛光布中的抛光残渣进行去除处理；

接着，测定该抛光布中的抛光残渣量，且基于该所测定的抛光残渣量而选出使用于该硅晶圆的抛光中的抛光布，并使用该选出的抛光布进行该硅晶圆的抛光；

其中，预先地使用经单独进行另外地修整后的聚胺酯树脂制的基准用抛光布而进行硅晶圆的抛光，且通过与该假抛光后的去除处理相同的方式进行抛光残渣的去除处理，并进行该去除处理后的抛光残渣量的测定；

先求出基准用抛光布的使用时间除以预先设定好的基准用抛光布的寿命的值在0.05的时间点时的基准用抛光布中的抛光残渣量予以作为基准值，以选出在该假抛光以及去除处理后所测定出的抛光残渣量为在该基准值以上的抛光布作为于该硅晶圆的抛光中使用的抛光布。

7.如权利要求6所述的抛光方法，其中

自通过荧光X射线分析法所得到的荧光X射线频谱所检测出包含Si-Kα射线的讯号，而测定该抛光残渣量。

8.如权利要求6或7所述的抛光方法，其中

通过修整以及高压喷射水洗净来进行该抛光残渣的去除处理。

9.如权利要求6或7所述的抛光方法，其中

该抛光机设为双面抛光机。

10.如权利要求8中所述的抛光方法，其中

该抛光机设为双面抛光机。