[发明专利]复合滤波器装置

说明书

提供插入损耗小且低成本的复合滤波器装置。复合滤波器装置(1)具备第1滤波器(2)和通频带不同的多个第2滤波器(12A、12B)。第1滤波器(2)以及多个第2滤波器(12A、12B)的一端公共连接。第1滤波器(2)具有：由LiNbO₃构成的压电基板；设于压电基板上的IDT电极；和在压电基板上覆盖IDT电极而设的电介质层。第1滤波器(2)利用瑞利波的基波。第1滤波器(2)的通频带配置在比多个第2滤波器(12A、12B)的任何通频带都低的频率带。

技术领域

本发明涉及复合滤波器装置。

背景技术

过去，复合滤波器装置广泛运用在便携电话机等中。

例如在下述的专利文献1中公开了具有3个以上的带通型滤波器的多工器。在专利文献1的多工器中，在天线端子公共连接3个以上的带通型滤波器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2013-62556号公报

发明内容

发明要解决的课题

但在专利文献1的多工器中，各带通型滤波器的电导分量使公共连接的其他带通型滤波器的插入损耗增大。考虑将全部带通型滤波器的压电基板设为损耗小的LiNbO₃基板，来减小插入损耗。但若使用LiNbO₃，就会有成本变高的问题。

本发明的目的在于，提供插入损耗小且低成本的复合滤波器装置。

用于解决课题的手段

本发明所涉及的复合滤波器装置具备：第1滤波器；和通频带不同的多个第2滤波器，所述第1滤波器以及所述多个第2滤波器的一端公共连接，所述第1滤波器具有：由LiNbO₃构成的压电基板；设于所述压电基板上的IDT电极；和在所述压电基板上覆盖所述IDT电极而设的电介质层，所述第1滤波器利用瑞利波的基波，所述第1滤波器的通频带配置在比所述多个第2滤波器的任何通频带都低的频率带。

在本发明所涉及的复合滤波器装置的某特定的局面下，还具备天线端子，所述第1滤波器以及所述多个第2滤波器的所述一端在所述天线端子公共连接。

在本发明所涉及的复合滤波器装置的其他特定的局面下，所述第1滤波器的所述压电基板由切割角为110°以上且150°以下的旋转Y切割的LiNbO₃构成。在该情况下，能适于利用瑞利波的基波。

在本发明所涉及的复合滤波器装置的再其他特定的局面下，所述IDT电极具有由密度大于7.87×10³kg/m³的金属构成的金属层。在该情况下，第1滤波器能在大的范围内减小体波辐射。

在本发明所涉及的复合滤波器装置的另外特定的局面下，所述IDT电极的所述金属层由Cu、Fe、Mo、Pt、W、Pd、Ta、Au以及Ag当中至少1种金属构成。在该情况下，第1滤波器能在大的范围内减小体波辐射。

本发明所涉及的复合滤波器装置的另外的特定的局面下，所述多个第2滤波器的通频带配置在比所述第1滤波器的瑞利波的纵波的频率低的频率带。在该情况下，能有效果地减小插入损耗。

在本发明所涉及的复合滤波器装置的再另外的特定的局面下，若将所述IDT电极的厚度设为h，将密度设为ρ，将由所述IDT电极规定的波长设为λ，将所述第1滤波器的通频带的中心频率设为f，将ρ×h/λ设为x，将以所述f标准化的频率设为y，则所述多个第2滤波器的通频带配置在满足下述的式(1)的频率带。

式(1) 1＜y＜2.392×10^-4×x+1.6246。

在该情况下，能有效果地减小插入损耗。