[发明专利]用于光伏模块生产的纹理化带有效
申请号: | 201680005009.9 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN107534068B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | A·J·戴施潘德;S·R·科皮卡尔;V·A·乔杜里;E·李;D·S·阿明 | 申请(专利权)人: | 协鑫集成科技(香港)有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 中国香港九龙柯士甸道西1号*** | 国省代码: | 香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 模块 生产 纹理 | ||
一种用于纹理化光伏电池上的光伏模块带的方法,所述光伏电池包括第一侧上的多个第一电极和第二侧上的多个第二电极,以及将第一光伏模块带耦合到多个第一电极。该方法还包括将光伏电池定位在具有呈现在其上的纹理的纹理化基底上,其中,第一光伏模块带基本上接触该纹理。该方法进一步包括将第二光伏模块带耦合到多个第二电极,并且使用当第二光伏模块带被耦合到多个第二电极时释放的热能将纹理化基底的纹理转移到第一带。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年1月6日提交的美国临时专利申请序列No.62/100,274的优先权,其全部内容在此通过引用而被包含。
技术领域
本公开的领域通常涉及光伏(PV)系统,更具体地涉及用于PV模块生产的纹理化PV模块带。
背景技术
光伏(PV)模块是将太阳能转换为电力的设备。通常,PV模块包括多个串联和/或并联连接的PV电池,PV电池响应于入射在电池的表面上的太阳光(或人造光)通过光伏效应来产生电力。
在提取所产生的电力中,电极被制造在半导体材料(例如,晶体硅晶片)的一面或两面上,该半导体材料至少部分地形成PV电池的光吸收结构。用于制造PV电池电极的各种技术是已知的。在一个这种技术中,电极包括指状物(fingers)和母线条(bus bars),并使用银(Ag)浆丝网印刷在半导体材料的表面上。一些其它技术包括用银丝网印刷指状物并将单独的母线条焊接到指状物。在又一其它技术中,使用银将指状物丝网印刷在半导体材料上。
在PV模块生产期间,PV电池通过将导电带焊接到PV电池电极而彼此连接。导电带将PV模块内的电池电耦合在一起,并且有时被称为跨接、互连或母线连接。示例导电带包括涂覆有锡铅合金(60Sn/40Pb)焊料金属的铜(Cu)芯。这些带被焊接到PV电池的前面和背面上的电极(例如,母线条)。这些带覆盖电池的表面的一部分并阻挡一些光到达电池。被这些带覆盖的电池的表面积的分数是阻挡到达PV电池的光活性区域的有用光的量的度量。在一些情况下,这些带将入射在PV电池的光活性区域上的光降低高达百分之五。
一些已知的PV模块使用由纹理化的铜或塑料膜制造的带来制成,纹理化的铜或塑料膜涂覆有小面的反射表面。在一些情况下,这些解决方案会增加PV模块的成本、增加制造复杂性和/或增加可靠性问题。减少被PV模块带阻挡的有用光的量而基本上不增加PV模块的成本、复杂性或可靠性将是有益的。该背景技术部分旨在向读者介绍可能与下面描述和/或要求保护的本公开的各个方面相关的领域的各个方面。认为该讨论有助于向读者提供背景信息以便于更好地理解本公开的各个方面。因此,应当理解,这些陈述应在这个角度来阅读,而不是作为对现有技术的承认。
发明内容
在一个实施例中,提供了一种用于将光捕获纹理直接施加到光伏电池上的光电模块带的方法,该光伏电池包括第一侧上的多个第一电极和第二侧上的多个第二电极。该方法包括将第一光伏模块带耦合到多个第一电极。该方法还包括将光伏电池定位在具有呈现在其上的光捕获纹理的纹理化基底上,其中,第一光伏模块带基本上接触光捕获纹理。该方法进一步包括将第二光伏模块带耦合到多个第二电极。该方法还包括使用当第二光伏模块带被耦合到多个第二电极时释放的热能来将纹理化基底的光捕获纹理转移到第一带。
存在关于上述方面注意到的特征的各种细化。另外的特征同样也可以包含上述方面中。这些细化和附加特征可以单独存在或以任何组合存在。例如,下面关于任何所示实施例所讨论的各种特征可以单独地或以任何组合包含在任何上述方面中。
附图说明
图1是示例PV模块的透视图;
图2是图1中所示的PV模块的剖视图;
图3A和图3B是可用于生成图1中所示的PV模块的示例PV电池的示意图;
图4是用于将光捕获纹理施加到PV模块带的示例系统的图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的