[发明专利]Ni－Cu系磁记录介质的籽晶层用合金和溅射靶材及磁记录介质有效
| 申请号： | 201680005033.2 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN107251139B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 长谷川浩之;新村梦树 | 申请（专利权）人： | 山阳特殊制钢株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/738 | 分类号： | G11B5/738;G11B5/84;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ni cu 记录 介质 籽晶 合金 溅射 | ||
1.一种磁记录介质的籽晶层用Ni-Cu-M合金，其特征在于，
含有Cu为1at％～35at％，
含有2at％～20at％的从W、Mo、Ta、Cr、V、Nb中选择的一种或两种以上的M1元素，0at％～10at％的从Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、P、C、Ru中选择的一种或两种以上的M3元素作为M元素，
余量由Ni和不可避免的杂质构成。
2.一种磁记录介质的籽晶层用Ni-Cu-M合金，其特征在于，
含有Cu高于10at％且为35at％以下，
含有2at％～20at％的从W、Mo、Ta、Cr、V、Nb中选择的一种或两种以上的M1元素，2at％～30at％的从Fe、Co中选择的一种或两种的M2元素，0at％～10at％的从Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、P、C、Ru中选择的一种或两种以上的M3元素作为M元素，
余量由Ni和不可避免的杂质构成。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的籽晶层用Ni-Cu-M合金，其特征在于，含有1at％～10at％的从Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、P、C、Ru中选择的一种或两种以上的M3元素作为M元素。
4.一种溅射靶材，其使用权利要求1～3中任一项所述的磁记录介质的籽晶层用Ni-Cu-M合金构成。
5.一种磁记录介质，其使用权利要求1～3中任一项所述的籽晶层用Ni-Cu-M合金构成。
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