[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法

说明书

一种半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的加工方法，所述半导体晶片表面保护用胶带在基材膜上具有粘合剂层，其中，在23℃对不锈钢的粘合力为0.3N/25mm～10N/25mm，加热至50℃时的粘合力为23℃时的粘合力的40％以下，并且纯水刚滴落在上述粘合剂层表面后的接触角为100°以上，纯水自滴落起10分钟后的接触角为65°以上。

技术领域

本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带。更详细而言，涉及在磨削半导体晶片时使用的半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法。

背景技术

半导体封装件如下进行制造：对高纯度硅单晶等进行切片，制成半导体晶片后，通过离子注入、蚀刻等在该晶片表面形成集成电路，由此制造半导体封装件。通过对形成有集成电路的半导体晶片的背面进行磨削、研磨等，将半导体晶片加工成所期望的厚度。此时，为了对在半导体晶片表面所形成的集成电路进行保护，使用半导体晶片表面保护用胶带(下文中也称为“表面保护带”)。对于背面磨削后的半导体晶片，在背面磨削结束后收纳到晶片盒中，搬运到切割工序，加工成半导体芯片。半导体晶片表面保护用胶带通常通过在基材膜层积粘合剂层而成，将粘合剂层贴合到半导体晶片的背面而进行使用。

以往，在半导体晶片表面所形成的集成电路的表面高度差小。因此，在使用现有的表面保护带对半导体晶片的背面进行了磨削时，残胶、后述的渗出等也常成为问题。

然而，近年来，伴随着高密度安装技术的进步，正在谋求半导体芯片的小型化、薄膜化。并且，通过在半导体晶片上修饰间距宽度窄的突起电极而将集成电路高密度化。这样，在对表面高度差大的半导体晶片或形成有较窄间距的突起电极的半导体晶片的背面进行磨削时，要求表面保护带对电路图案等的追随性。从该追随性的观点来看，使用由软质的基材膜或软质的粘合剂层所构成的表面保护带。

但是，在使用软质的表面保护带的情况下，虽然追随性良好，但存在如下情况：剥离时胶柔软，缠挂于半导体晶片表面的凹凸高度差上，从而胶被撕碎而产生残胶。

与此相对，正在尝试制作控制追随性而减少残胶的表面保护带。例如，在专利文献1中公开了一种表面保护带，其不将粘合剂层埋设于凹凸中而使其仅牢固地粘接于凹凸的头部的一部分，从而确保粘合片与半导体晶片的密合性，减少粘合剂层与凹凸的接触面积，由此减少残胶。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-54939号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在专利文献1所公开的表面保护带中，其密合面积较小且未完全追随电路图案等。因此，会产生下述被称为渗出的现象，即在磨削时水或灰尘附着于表面保护带端部，在磨削中磨削水或灰尘从表面保护带端部向内部浸透。而且，由于产生该渗出，因而存在下述问题：磨削水或灰尘到达至表面保护带的未密合于半导体晶片的部分，产生表面保护带的隆起。

因此，鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法，其即便对半导体晶片进行磨削也不会产生半导体晶片的破损或渗出，能够容易地从半导体晶片剥离，能够抑制残胶。

用于解决课题的方案

本发明人鉴于上述课题进行了深入研究。其结果，制作出粘合剂层在特定温度下对不锈钢(Steel Use Stainless、SUS、下文中有时也称为“不锈钢”或“SUS”)的粘合力为特定范围内、且粘合剂层对纯水的接触角满足特定关系的表面保护带。发现即便在半导体晶片的表面形成有高度差大的集成电路或窄间距的突起电极，该表面保护带也可以容易地从半导体晶片剥离，可抑制剥离后在晶片表面的残胶。本发明基于这些见解进一步反复研究，由此完成了本发明。

即，本发明的上述课题通过以下技术方案来实现。