[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带有效
| 申请号： | 201680005089.8 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN107112229B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 横井启时 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09J7/29;C09J7/24;C09J7/20;C09J11/06;C09J133/08;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 保护 胶带 | ||
1.一种半导体晶片用胶带，其为至少由基材膜、中间树脂层和粘合剂层构成的半导体晶片用胶带，其特征在于，
所述基材膜的熔点超过90℃，弯曲模量为1GPa～10GPa，
所述中间树脂层由乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物树脂和聚乙烯树脂这2层构成，基材膜侧为聚乙烯树脂，层比例为聚乙烯树脂：共聚物树脂＝1：9～5：5，
所述中间树脂层的树脂的熔点为50℃～90℃的范围，且弯曲模量为1MPa～100Mpa，
所述中间树脂层的厚度为半导体晶片表面的凸块的高度以上，
加热贴合至半导体晶片表面的温度为所述中间树脂层的熔点以上。
2.如权利要求1所述的半导体晶片用胶带，其特征在于，所述中间树脂层的乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物树脂是选自乙烯-丙烯酸甲酯共聚物树脂、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物树脂和乙烯-丙烯酸丁酯共聚物树脂中的树脂。
3.如权利要求1所述的半导体晶片用胶带，其特征在于，所述基材膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂或聚苯乙烯树脂中的任一种。
4.如权利要求1所述的半导体晶片用胶带，其特征在于，所述基材膜的厚度为25μm～75μm。
5.如权利要求1所述的半导体晶片用胶带，其特征在于，所述中间树脂层的厚度为100μm～400μm。
6.如权利要求1所述的半导体晶片用胶带，其特征在于，所述中间树脂层的聚乙烯树脂为低密度聚乙烯树脂。
7.如权利要求1所述的半导体晶片用胶带，其特征在于，其是在60℃以上的温度下加热贴合至晶片表面具有20μm以上的凹凸的晶片而成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
