[发明专利]复合多晶体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680005134.X 申请日: 2016-10-04
公开(公告)号: CN107207358B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 石田雄;佐藤武;角谷均 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: C04B35/52 分类号: C04B35/52;B01J3/04;B01J3/06;C01B32/25;C01B32/26
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 王静;高钊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 复合 多晶体 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种复合多晶体,包含:

含有多个金刚石粒子的多晶金刚石相;以及

由非金刚石碳构成的非金刚石相,其中非金刚石碳是指除金刚石以外的固体碳,并且

所述非金刚石相分布在所述多晶金刚石相中,所述非金刚石相以孤立的方式存在并且单独的非金刚石相并不相互连接,

所述非金刚石相的投影面积等效圆直径的平均值为1000nm以下。

2.根据权利要求1所述的复合多晶体,其中

所述非金刚石相的所述投影面积等效圆直径的平均值为100nm以下。

3.根据权利要求1或2所述的复合多晶体,其中

所述金刚石粒子的投影面积等效圆直径的平均值为1000nm以下。

4.根据权利要求1或2所述的复合多晶体,其中

所述复合多晶体的努氏硬度为50GPa以上。

5.一种复合多晶体,包含:

含有多个金刚石粒子的多晶金刚石相;以及

由非金刚石碳构成的非金刚石相,其中非金刚石碳是指除金刚石以外的固体碳,并且

所述非金刚石相分布在所述多晶金刚石相中,所述非金刚石相以孤立的方式存在并且单独的非金刚石相并不相互连接,

所述非金刚石相的投影面积等效圆直径的平均值为100nm以下,

所述金刚石粒子的投影面积等效圆直径的平均值为1000nm以下,

所述复合多晶体的努氏硬度为50GPa以上。

6.一种制造权利要求1或权利要求5所述的复合多晶体的方法,所述方法包括:

准备非金刚石碳;

在满足以下所有方程式(I)至(IV)的条件下将所述非金刚石碳加压至烧结压力并且将所述非金刚石碳加热至烧结温度:

P≤0.0067T+1...(I);

P≥0.0035T-0.3462...(II);

0≤T≤2700...(III);以及

0≤P≤13...(IV)

其中P[GPa]表示压力并且T[℃]表示温度,

所述烧结压力为9GPa以上13GPa以下,并且所述烧结温度为1800℃以上2700℃以下;以及

将所述非金刚石碳保持在所述烧结压力和所述烧结温度下,以使所述非金刚石碳的一部分转化为多晶金刚石并且将所述非金刚石碳和所述多晶金刚石烧结,从而制造所述复合多晶体。

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