[发明专利]非水电解质二次电池用负极活性物质和非水电解质二次电池有效

专利信息
申请号: 201680005180.X 申请日: 2016-01-18
公开(公告)号: CN107112521B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 明乐达哉;加藤善雄;南博之;砂野泰三 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/36
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 水电 二次 电池 负极 活性 物质
【权利要求书】:

1.一种非水电解质二次电池用负极活性物质,其具备:

Li2zSiO(2+z)所示的硅酸锂相、和

分散于所述硅酸锂相中的硅颗粒,其中0z2,

根据由XRD测定得到的XRD图谱的硅酸锂(111)面的衍射峰的半值宽度、通过谢勒公式算出的构成所述硅酸锂相的硅酸锂的微晶尺寸为40nm以下,

充放电后的所述非水电解质二次电池用负极活性物质中不含Li4SiO4

由XRD测定得到的XRD图谱中,Si(111)面的衍射峰的强度大于硅酸锂的(111)面的衍射峰的强度,

在所述XRD图谱的2θ=25°处未观察到SiO2的衍射峰。

2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用负极活性物质,其中,由XRD测定得到的XRD图谱中,硅酸锂的(111)面的衍射峰的半值宽度为0.05°以上。

3.根据权利要求1或2所述的非水电解质二次电池用负极活性物质,其中,所述硅酸锂相以Li2Si2O5为主成分,

所述XRD图谱中的Li2Si2O5(111)面的衍射峰的半值宽度为0.09°以上。

4.根据权利要求1或2所述的非水电解质二次电池用负极活性物质,其中,所述硅酸锂相以Li2SiO3为主成分,

所述XRD图谱中的Li2SiO3(111)面的衍射峰的半值宽度为0.10°以上。

5.一种非水电解质二次电池用负极活性物质,其具备:

Li2zSiO(2+z)所示的硅酸锂相、和

分散于所述硅酸锂相中的硅颗粒,其中0z2,

根据由XRD测定得到的XRD图谱的硅酸锂(111)面的衍射峰的半值宽度、通过谢勒公式算出的构成所述硅酸锂相的硅酸锂的微晶尺寸为40nm以下,

所述硅酸锂相以Li2Si2O5为主成分,

充放电后的所述非水电解质二次电池用负极活性物质中不含Li4SiO4

在由XRD测定得到的XRD图谱的2θ=25°处未观察到SiO2的衍射峰。

6.根据权利要求5所述的非水电解质二次电池用负极活性物质,其中,由XRD测定得到的XRD图谱中,Si(111)面的衍射峰的强度大于硅酸锂的(111)面的衍射峰的强度。

7.根据权利要求5或6所述的非水电解质二次电池用负极活性物质,其中,所述XRD图谱中的Li2Si2O5(111)面的衍射峰的半值宽度为0.09°以上。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的非水电解质二次电池用负极活性物质,其中,在由所述硅酸锂相和所述硅颗粒构成的母颗粒的表面形成有导电层。

9.一种非水电解质二次电池,其具备:使用权利要求1~8中任一项所述的非水电解质二次电池用负极活性物质的负极;正极;和,非水电解质。

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