[发明专利]半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片

权利要求书

1.一种形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，是以基材层、在所述基材层的上部形成的软质层、在所述软质层的上部形成的UV硬化型粘合层以及在所述UV硬化型粘合层的上部形成的离型膜层的顺序依次层叠的结构，

其中，所述基材层为三层结构，并且是以基材薄膜层、硬质层及表面粗糙薄膜层的顺序依次层叠的结构，

其中，所述软质层是使用软质组合物而形成的层，所述软质组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、5～60重量份的填充剂、0.1～3重量份的硬化剂及10～60重量份的溶剂形成，所述填充剂为无机填料，

其中，所述UV硬化型粘合层使用UV硬化型粘合组合物而形成的层，所述UV硬化型粘合组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、3～15重量份的粘合力促进剂、1～10重量份的硬化剂、1～5重量份的光引发剂及10～60重量份的溶剂形成，

其中，作为所述离型膜层，从被剥离处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺、TPO、PU或LDPE材料的薄膜中选择使用，

其中，作为所述基材薄膜层，从两面被电晕处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺、TPO、PU或LDPE材料的薄膜中选择使用，

其中，所述硬质层是使用硬质组合物而形成的层，所述硬质组合物由100重量份的丙烯酸酯共聚树脂、5～30重量份的苯酚-甲醛树脂、0.1～3重量份的硬化剂、0.01～1.0重量份的硬化促进剂、0.1～2.0重量份的颜料及10～60重量份的溶剂形成，

其中，所述表面粗糙薄膜层从表面粗糙处理的PET、LLDPE、EVA、聚酰亚胺或LDPE材料的薄膜中选择使用。

2.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述软质层及所述硬质层中的丙烯酸酯共聚树脂由丙烯酸丁酯单体、丙烯酸2-乙基己酯单体、甲基丙烯酸甲酯单体、醋酸乙烯酯单体、2-己基乙基甲基丙烯酸酯单体、甲基丙烯酸缩水甘油酯单体、丙烯酸单体、有机过氧化物引发剂合成。

3.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述硬化剂为异氰酸酯类交联剂。

4.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述硬化促进剂从二甲基环己胺、三乙胺、二丁基二月桂酸锡、醋酸钾中选择一种或一种以上来使用。

5.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述溶剂选择使用甲苯、环己烷、水杨酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯、异丙醇、甲基异丁基甲酮、甲基乙基酮、邻苯二甲酸二丁酯、二甲苯、苯或二甲基甲酰胺中的一种或一种以上。

6.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述表面粗糙薄膜层的表面粗糙度Ra值为1～10μm。

7.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述填充剂从直径为3～15μm的大小的二氧化硅、氧化铝、硫酸钡、滑石、碳酸钙、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸镁、氧化镁、氮化硼、硼酸铝、钛酸钡、钛酸钙、钛酸镁、氧化铋、氧化钛、锆、锆酸钡、锆酸钙中选择一种或一种以上来使用。

8.根据权利要求1所述的形成有电路和凸块的半导体晶片半切割后的背面研削加工用紫外线硬化型粘合片，其特征在于，所述粘合力促进剂从丙烯酸羟乙酯化合物、松香类树脂、萜烯树脂、萜烯酚醛树脂、古马隆-茚树脂、酚醛树脂中选择一种或一种以上来使用。