[发明专利]半导体逻辑元件和逻辑电路

权利要求书

1.一种半导体逻辑元件，其包含

-在下文中称为第一FET的具有第一导电性类型的场效应晶体管，所述第一FET包括第一源极、第一漏极、第一栅极和第一通道，以及

-在下文中称为第二FET的具有第二导电性类型的场效应晶体管，所述第二FET包括第二源极、第二漏极、第二栅极和第二通道；

其中所述半导体逻辑元件包含内部节点，其中所述内部节点至少部分地通过所述第一漏极及所述第二栅极形成，

其中所述第一栅极在下文中称为所述半导体逻辑元件的输入端，其中所述输入端被配置以耦接至第一输入逻辑电位或第二输入逻辑电位，

其中所述第二漏极称为所述半导体逻辑元件的输出端，

其中所述第二源极为所述半导体逻辑元件的源极，

其中所述半导体逻辑元件被配置以使得当所述第一源极布置在第一源极电位时且当所述第二源极处于第一输出逻辑电位时且当所述输入端处于所述第一输入逻辑电位时，所述第一通道被布置为处于导电状态，从而将所述内部节点调整至所述第一源极电位，且使得所述第二通道处于不导电状态，因此使得所述半导体逻辑元件的输出端能够处于所述第一输出逻辑电位或第二输出逻辑电位；且

其中所述半导体逻辑元件进一步被配置以使得当所述第一源极布置在所述第一源极电位时且当所述第二源极处于所述第一输出逻辑电位时且当所述输入端处于所述第二输入逻辑电位时，所述第一通道被布置为处于不导电状态，使得所述内部节点调整至使得所述第二通道处于导电状态的电位，从而将该输出端调整至所述第一输出逻辑电位。

2.根据权利要求1所述的半导体逻辑元件，其中所述内部节点包含以下中的一个：充当第一漏极及至少部分第二栅极的单一掺杂区、第一漏极掺杂部及第二栅极。

3.根据权利要求1所述的半导体逻辑元件，其中所述第一FET、所述第二FET中的至少一个是耗尽模式场效应晶体管。

4.根据权利要求1所述的半导体逻辑元件，其中所述第一FET、所述第二FET中的至少一个是增强模式场效应晶体管。

5.根据权利要求1所述的半导体逻辑元件，其中所述第一FET为以下中的一个：结型场效应晶体管、导体绝缘体半导体场效应晶体管、导体半导体场效应晶体管。

6.根据权利要求1所述的半导体逻辑元件，其中所述第二FET为以下中的一个：结型场效应晶体管、导体绝缘体半导体场效应晶体管、导体半导体场效应晶体管。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的半导体逻辑元件，其中所述第一FET、所述第二FET中的至少一个为包含对应于外部栅极的辅助栅极以及对应于栅极的背栅极掺杂部的耗尽模式导体绝缘体半导体场效应晶体管。

8.根据权利要求7所述的半导体逻辑元件，其中

如果所述第一FET是耗尽模式导体绝缘体半导体场效应晶体管，则所述第一FET的辅助栅极被配置以被偏压以使得迁移第二导电性类型电荷载流子层建立于所述第一FET的外部栅极下方的绝缘体半导体界面处而无关于该输入端是偏压于所述第一输入逻辑电位还是所述第二输入逻辑电位，且该迁移第二导电性类型电荷载流子层充当该第一栅极的一部分且从该第二导电性类型背栅极掺杂部的相反侧控制所述第一通道，且

如果所述第二FET是耗尽模式导体绝缘体半导体场效应晶体管，则所述第二FET的辅助栅极被配置以被偏压以使得迁移第一导电性类型电荷载流子层建立于所述第二FET的外部栅极下方的绝缘体半导体界面处而无关于该输入端是偏压于所述第一输入逻辑电位还是所述第二输入逻辑电位，且该迁移第一导电性类型电荷载流子层充当该第二栅极的一部分且从该第一导电性类型背栅极掺杂部的相反侧控制所述第二通道。