[发明专利]用于制造多个半导体芯片和的方法和半导体芯片

权利要求书

1.一种用于制造多个半导体芯片(410)的方法，所述方法具有按给定顺序的如下步骤：

a)提供复合件(401)，所述复合件具有载体(404)、半导体层序列(402)和功能层(403)；

b)借助于相干辐射(407)沿着分割图案(415)切断所述功能层(403)；

c)在所述载体(404)中沿着所述分割图案(415)构成分离沟槽，其中所述分离沟槽借助于相干辐射构成，并且其中所述相干辐射将所述复合件的部分区域熔化成熔渣，所述熔渣在要分割的所述半导体芯片(410)的各至少一个侧面(4101)上形成朝向所述分离沟槽对所述功能层(403)限界的保护层(405)；

其中分割的所述半导体芯片(410)分别具有所述半导体层序列(402)的、所述载体(404)的和所述功能层(403)的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述功能层(403)具有金属层和/或介电层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述载体(404)包含半导体材料。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述功能层(403)设置在所述半导体层序列(402)和所述载体(404)之间。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述功能层(403)在步骤b)之前整面地在所述复合件(401)之上延伸。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述复合件(401)在分割之前固定在辅助载体(406)上，并且所述半导体芯片(410)在分割之后以几何排列存在于所述辅助载体(406)上。

7.一种半导体芯片(410)，其具有半导体本体(420)、载体本体(440)、和功能层(403)，所述半导体本体、所述载体本体和所述功能层沿竖直方向相叠地设置，以及所述半导体芯片具有通过熔渣形成的保护层(405)，所述保护层设置在所述半导体芯片(410)的至少一个侧面(4101)上，其中所述熔渣在所述至少一个侧面(4101)上通过相干辐射(7)进行材料剥离来形成。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片(410)，其中所述功能层(403)在所述半导体芯片(410)的具有所述材料剥离的痕迹的至少一个侧面(4101)上由所述保护层(405)覆盖。

9.根据权利要求7或8所述的半导体芯片(410)，其中所述功能层(403)设置在所述载体本体(440)和所述半导体本体(420)之间。

10.一种半导体芯片(410)，其具有半导体本体(420)、载体本体(440)、和功能层(403)，所述半导体本体、所述载体本体和所述功能层沿竖直方向相叠地设置，以及所述半导体芯片具有通过熔渣形成的保护层(405)，所述保护层设置在所述半导体芯片(410)的至少一个侧面(4101)上，其中所述熔渣在所述至少一个侧面(4101)上通过相干辐射(407)进行材料剥离来形成，其中所述功能层(403)在所述半导体芯片(410)的具有所述材料剥离的痕迹的至少一个侧面(4101)上由所述保护层(405)覆盖，并且

所述保护层(405)沿竖直方向在所述功能层(403)之上延伸。