[发明专利]集成电路器件和方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

包含铝的第一金属层；

包括互连结构的第二金属层，其中所述互连结构包括包含铝的第一材料层；

包含铝和不同的传导材料的互扩散层，所述互扩散层紧邻所述第一金属层并且紧邻所述包含铝的第一材料层；以及

包含铝的自形成阻挡层，所述自形成阻挡层紧邻电介质层和所述包含铝的第一材料层。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述互扩散层与所述第一金属层直接接触。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述互扩散层包括Al₉Co₂。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二金属层包括通过气隙分离的第一金属线和第二金属线。

5.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中所述第二金属层还包括通过第二气隙与所述第一金属线分离的第三金属线。

6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述气隙具有12纳米(nm)的宽度。

7.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：

在电介质层中形成第一开口，所述第一开口暴露包含铝的第一金属层的一部分；

至少部分通过以下方式来形成包含铝和不同的传导材料的互扩散层：

紧邻所述第一金属层的所述部分选择性地形成传导层，其中所述传导层包括所述传导材料；以及

紧邻所述传导层沉积第二金属层的材料，其中所述第二金属层的材料包括铝；以及

通过将所述第二金属层的材料沉积在所述第一开口的侧壁上来形成包含铝的自形成阻挡层，所述自形成阻挡层紧邻所述电介质层和所述第二金属层的材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中沉积所述第二金属层的材料包括沉积掺杂有铜的铝。

9.根据权利要求7所述的方法，其中沉积所述第二金属层的材料包括沉积种子层。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括对所述第二金属层执行铝回流处理。

11.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述第一开口包括对紧邻所述第一金属层的自形成阻挡层的一部分执行原位H基处理。

12.根据权利要求7所述的方法，在形成在所述第一开口中的第一金属线与形成在第二开口中的第二金属线之间形成气隙，所述第二开口形成在所述电介质层中。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述气隙包括：

紧邻所述电介质层沉积蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层中形成第一开口和第二开口，所述蚀刻停止层中的第一开口和第二开口暴露位于所述第一金属线与所述第二金属线之间的所述电介质层的第一部分和第二部分；以及

通过所述蚀刻停止层中的第一开口和第二开口蚀刻所述电介质层的所述第一部分和所述第二部分。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括通过紧邻所述蚀刻停止层沉积电介质材料来密封所述气隙。