[发明专利]电子器件模块

权利要求书

1.一种电子器件模块，包括玻璃盖片(1)、聚合物前面材料(2)、电子器件(3)、聚合物背面材料(4)以及背板(5)，其中，所述聚合物前面材料和/或所述聚合物背面材料具有三层结构，所述三层结构包括粘附到所述电子器件(3)的表面的后层(23、43)、粘附到所述玻璃盖片(1)或所述背板(5)上的前层(21、41)以及所述后层和所述前层之间的中间层(22、42)，

其中所述后层和所述前层中的每一层均包含接枝有硅烷的乙烯互聚物，其中所述接枝有硅烷的乙烯互聚物具有至多0.905g/cm³的密度，并且所述中间层由密度为至多0.905g/cm³的非接枝乙烯互聚物、UV稳定剂和任选的一种或多种添加剂组成，所述非接枝乙烯互聚物借助于交联引发剂和任选的交联助剂进行交联，并且其中，所述后层和所述前层不含UV稳定剂，并且其中所述密度是根据ISO1183测定的；

其中，所述前层和所述后层的所述接枝有硅烷的乙烯互聚物在交联之前的根据ASTMD-1238在190℃和2.16kg下的熔融指数为10-35dg/min，

并且其中，所述中间层在交联前的根据ASTM D-1238在190℃和2.16kg下的熔融指数为10-35dg/min。

2.根据权利要求1所述的电子器件模块，其中，所述聚合物材料包含40-90体积％的所述中间层以及10-60体积％的所述后层和所述前层的总和。

3.根据权利要求1所述的电子器件模块，其中，所述聚合物材料的厚度为100-1000μm。

4.根据权利要求1所述的电子器件模块，其中，所述乙烯互聚物具有通过ASTM D-882-02的过程测量的小于150MPa的2％正割模量。

5.根据权利要求1所述的电子器件模块，其中，通过使用ASTM D-3418-03的过程由差示扫描量热法(DSC)所测量的，所述乙烯互聚物具有小于-35℃的Tg。

6.根据权利要求1所述的电子器件模块，其中，所述交联引发剂是过氧化物。

7.根据权利要求1所述的电子器件模块，其中，所述交联助剂是三烯丙基氰脲酸酯或三烯丙基异氰脲酸酯。

8.根据权利要求1所述的电子器件模块，其中，所述硅烷选自由以下各项组成的组：乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷以及这些硅烷的混合物。

9.根据前述权利要求中任一项所述的电子器件模块，其中，所述电子器件是光伏元件。

10.一种三层聚合物膜，包括两个外层和一个中间层，

其中，每个外层独立地具有在5-200μm之间的厚度，并且包含密度≤0.905g/cm³以及根据ASTM D-1238采用190℃和2.16kg测得的MI在10-35g/10min之间的的乙烯互聚物，并且其中，每个外层中的乙烯互聚物已经接枝有0.5-10重量％的硅烷，并且其中，所述外层不含UV稳定剂以及包含小于0.05重量％的过氧化物；

其中，所述中间层的厚度在40-800μm之间并且包含乙烯互聚物，所述乙烯互聚物的密度≤0.905g/cm³，根据ASTM D-1238采用190℃和2.16kg测得的MI在10-35g/10min之间，其中，所述中间层的所述乙烯互聚物未接枝有硅烷，并且其中，所述中间层包含0.05-10重量％的过氧化物，所述过氧化物在110℃下的半衰期大于1小时，在160℃下的半衰期小于6分钟，并且其中，所述中间层包含0.1-0.8重量％的UV稳定剂，并且其中所述密度是根据ISO1183测定的。

11.根据权利要求10所述的聚合物膜，其中，根据ASTM D-1238采用190℃和2.16kg测得的所述层的所述MI在15-32g/10min之间的范围内。