[发明专利]自偏置电荷泵

权利要求书

1.一种装置，包括：

电流源，被配置为生成电流；

开关电流源电路，耦合到所述电流源和第一偏置节点，以允许所述电流流过所述开关电流源电路进入所述第一偏置节点中；

第一偏置电路，被配置为从鉴相器接收第一控制信号，所述第一偏置电路被配置为响应于所述第一控制信号而镜像流过所述开关电流源电路的所述电流；

第二偏置电路，耦合到第二偏置节点并在输出节点处耦合到所述第一偏置电路，所述第二偏置电路被配置为从所述鉴相器接收第二控制信号；以及

跨导放大器，被配置为从所述输出节点接收反馈信号并生成输出电流，以控制所述第二偏置节点。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置是锁相环的电荷泵。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一控制信号是从所述输出节点汲取所述电流的下降信号。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二控制信号是将所述电流泵到所述输出节点中的互补上升信号。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述开关电流源电路包括第一晶体管，所述第一晶体管被配置有耦合到所述第一偏置节点的栅极端子、耦合到所述电流源和所述栅极端子的漏极端子以及耦合到接地电压的源极端子。

6.根据权利要求5所述的装置，进一步包括耦合到所述第一晶体管的所述栅极端子和所述接地电压的第一电容器。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一偏置电路包括第二晶体管和第三晶体管，其中所述第二晶体管和所述第三晶体管用n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第二晶体管被配置有耦合到所述输出节点的漏极端子及耦合到所述第一偏置节点的栅极端子。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第三晶体管被配置有用于接收所述第一控制信号的栅极端子、耦合到所述第二晶体管的源极端子的漏极端子以及耦合到所述接地电压的源极端子。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述第二偏置电路包括第四晶体管和第五晶体管，其中所述第四晶体管和所述第五晶体管用p沟道MOSFET配置。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第四晶体管被配置有耦合到所述第二偏置节点的栅极端子及耦合到所述输出节点的漏极端子。

12.根据权利要求11所述的装置，其中第五晶体管被配置有用于接收所述第二控制信号的栅极端子、耦合到所述第四晶体管的源极端子的漏极端子以及耦合到供应电压的源极端子。

13.根据权利要求12所述的装置，进一步包括耦合到所述第二偏置节点和所述供应电压的第二电容器。

14.一种装置，包括：

电流源，被配置为生成电流；

开关电流源电路，耦合到所述电流源和第一偏置节点，以允许所述电流流过所述开关电流源电路进入所述第一偏置节点中；

第一偏置电路，被配置为从鉴相器接收第一控制信号，所述第一偏置电路被配置为响应于所述第一控制信号而镜像流过所述开关电流源电路的所述电流；

第二偏置电路，耦合到第二偏置节点并在输出节点处耦合到所述第一偏置电路，所述第二偏置电路被配置为从所述鉴相器接收第二控制信号；以及

单位增益缓冲器，具有正输入端子、负输入端子及输出端子，所述正输入端子被配置为接收输入信号，所述负输入端子耦合到所述输出端子，

其中所述输出端子耦合到所述输出节点、所述第一偏置电路及所述第二偏置电路。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述第一偏置电路包括第二晶体管和第三晶体管，其中所述第二晶体管和所述第三晶体管用n沟道MOSFET配置。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述单位增益缓冲器的输出端子耦合到所述第二晶体管的源极端子及所述第三晶体管的漏极端子。

17.根据权利要求14所述的装置，其中所述第二偏置电路包括第四晶体管和第五晶体管，其中所述第四晶体管和所述第五晶体管用p沟道MOSFET配置。