[发明专利]金属结合基底

说明书

技术领域

本公开总体涉及一种金属结合基底。更具体地讲，本公开涉及一种显著改善非导电基体基底和与其结合的金属层之间的结合力的金属结合基底。

背景技术

玻璃由于具有高水平的透光率、优异的热稳定性和优异的机械性能而被用于各种应用中，诸如用于一系列功能容器、车辆和结构材料中，并且被用于诸如智能电话和显示装置的各种电子装置中。在现代工业中，技术密集型领域对适用于特定应用的材料有更大的需求。因此，需要具有上述性能的玻璃的工业领域正在增加。具体地，在诸如触摸屏、显示装置的电子/电气装置和半导体基底材料中，形成精细电路图案的器件之间的电连接是必要的。当在制造这样的电子/电气装置中使用玻璃材料时，在玻璃材料上沉积诸如铜(Cu)的金属以形成电路是必要的。

通常，当将玻璃应用于显示器制造工艺时，使用溅射设备在玻璃板上形成用于增加粘合强度的种子层(seed layer)，随后在种子层上沉积Cu。然而，当使用诸如溅射设备的真空沉积设备时，因为这样的设备可能会相对昂贵，设备的操作成本可能会高，设备可能会具有大的体积，并且整个工艺可能会消耗相对大量的时间，所以可能会出现许多问题。具体地，现有技术的设备被设计为主要以二维(2D)方式(即，在单一方向上)沉积Cu。因此，为了以三维(3D)方式在所有方向上均匀地沉积Cu，必须对设备进行结构上地修改。然而，这会不期望地产生额外的费用并使设备的体积增大。

无电镀镀Cu(electroless Cu plating)是通过Cu²⁺离子的化学还原使Cu沉淀而使介质镀有Cu的工艺。因为无电镀镀Cu的整个工艺是以溶液为基础执行的，可以电镀所有样品，并且能够批量生产，所以无电镀镀Cu用于各种工业领域。然而，由于玻璃基材料与Cu的粘合性差，所以需要能够增强它们之间的粘合强度的方法或技术。

现有技术文献

专利文献1：第10-0846318号韩国专利(2008年7月9日)

发明内容

技术问题

本公开的各个方面提供了一种显著改善非导电基体基底和与其结合的金属层之间的结合力的金属结合基底。

技术方案

根据一个方面，金属结合基底包括：基体基底；金属层，设置在基体基底上；自组装单层(SAM)，设置在基体基底与金属层之间，SAM由将金属层化学连接到基体基底的硅烷形成。硅烷的端基包含包括具有至少一个杂原子的饱和或不饱和的6元环的氨基硅烷。

硅烷可以是从以下化合物组成的候选组中选择的一种或者两种或更多种的组合：3-氨基丙基-三甲氧基硅烷(APTMS)、3-巯基丙基-三甲氧基硅烷(MPTMS)、三嗪硫醇硅烷(TESPA)、三甲氧基硅烷基丙基二亚乙基三胺(AEAPTMS)和二苯基膦基乙基三乙氧基硅烷(DPPETES)。

氨基硅烷可以是从以下化合物组成的候选组中选择的一种或者两种或更多种的组合：三嗪硫醇(NH(CH₂)₃Si(OMe)₃)、噻嗪硫醇((CH2)₂Si(OMe)₃)、三恶烷硫醇(NH(CH₂)2Si(OMe)₃)、吡喃硫醇(NH(CH₂)2Si(OMe)₃)、噻喃硫醇(NH(CH₂)2Si(OMe)₃)、三磷硫醇(NH(CH₂)3Si(OMe)₃)、斯塔纳苯(NH(CH₂)2Si(OMe)₃)、六嗪(NH(CH₂)3Si(OMe)₃)、吡啶(NH(CH₂)2Si(OMe)₃)、四嗪(NH(CH₂)3Si(OMe)₃)和纵2三嗪硫醇(NH(CH₂)3Si(OMe)₃)。

基体基底可以实现为玻璃基底。

金属层可以由铜形成。

技术效果