[发明专利]传感器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种传感器装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

第一金属布线层，其设置在所述半导体基板上；

第一绝缘层，其设置在所述第一金属布线层上；

化合物半导体传感器元件，其设置在所述第一绝缘层上；

第二金属布线层，其设置在所述化合物半导体传感器元件和所述第一绝缘层上；以及

第二绝缘层，其设置在所述第二金属布线层上。

2.根据权利要求1所述的传感器装置，其特征在于，

在所述第一金属布线层与所述第二金属布线层之间具备第三绝缘层，所述化合物半导体传感器元件设置在所述第三绝缘层中。

3.根据权利要求1所述的传感器装置，其特征在于，

所述化合物半导体传感器元件与所述第一金属布线层或所述第二金属布线层电连接。

4.根据权利要求2所述的传感器装置，其特征在于，

在所述半导体基板上设置有下部布线层，该下部布线层具有所述第一绝缘层和所述第一金属布线层，在所述第三绝缘层上设置有上部布线层，该上部布线层具有所述第二绝缘层和所述第二金属布线层。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的传感器装置，其特征在于，

所述化合物半导体传感器元件呈薄膜形状。

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的传感器装置，其特征在于，

所述第一金属布线层具有屏蔽层，该屏蔽层配置在所述化合物半导体传感器元件的下方。

7.根据权利要求1～4中的任一项所述的传感器装置，其特征在于，

还具备校正电阻元件，该校正电阻元件与所述化合物半导体传感器元件设置在相同的平面上。

8.根据引用权利要求4的权利要求7所述的传感器装置，其特征在于，

设置有传感器元件用布线以将所述化合物半导体传感器元件的端子与所述上部布线层的所述第二金属布线层连接，所述校正电阻元件的一端与所述上部布线层连接，另一端与所述下部布线层连接。

9.根据权利要求1～4中的任一项所述的传感器装置，其特征在于，

所述化合物半导体传感器元件是霍尔元件或磁阻元件。

10.根据权利要求1～4中的任一项所述的传感器装置，其特征在于，

所述化合物半导体传感器元件设置在所述第一绝缘层的平坦化面。

11.根据权利要求1～4中的任一项所述的传感器装置，其特征在于，

在所述第二绝缘层上设置有外部连接接点。

12.一种传感器装置，其特征在于，具备：

半导体基板；以及

第一化合物半导体磁传感器，其设置在设置于所述半导体基板上的第一金属布线层与第二金属布线层之间的绝缘层中。

13.根据权利要求12所述的传感器装置，其特征在于，

还具备第二化合物半导体磁传感器，该第二化合物半导体磁传感器设置在所述第二金属布线层与所述第二金属布线层上的第三金属布线层之间的绝缘层中。

14.根据权利要求13所述的传感器装置，其特征在于，

在剖视时，所述第二化合物半导体磁传感器形成于所述第一化合物半导体磁传感器的上方。

15.一种传感器装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在半导体基板上形成第一金属布线层；

在所述第一金属布线层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成化合物半导体传感器元件；

在形成所述化合物半导体传感器元件之后，层叠第三绝缘层；以及

在所述第三绝缘层上形成第二金属布线层。