[发明专利]具有低粒子含量的制剂

权利要求书

1.一种制剂，其包含一种或多种有机半导体材料和一种或多种有机溶剂，其特征在于所述制剂含有以每升制剂计少于10,000个平均尺寸为0.1至20μm的粒子。

2.根据权利要求1所述的制剂，其特征在于所述制剂含有以每升制剂计少于1,000个平均尺寸为0.2至20μm的粒子。

3.根据权利要求1或2所述的制剂，其特征在于所述制剂含有以每升制剂计少于100个平均尺寸为0.5至20μm的粒子。

4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂含有以每升制剂计少于10个平均尺寸为0.1至20μm的金属和/或电子导电粒子。

5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述有机半导体材料是分子量M_w>5,000g/mol的聚合物。

6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述有机半导体材料是分子量≤5,000g/mol的低分子量材料。

7.根据权利要求1至6中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述有机半导体材料选自空穴注入、空穴传输、电子阻挡、发光、空穴阻挡、电子传输、电子注入和电介质吸收材料。

8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂含有一种溶剂。

9.根据权利要求8所述的制剂，其特征在于所述溶剂的沸点≥90℃、优选≥150℃并且更优选≥200℃。

10.根据权利要求1至9中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂含有至少两种不同的溶剂，其中所述至少两种不同溶剂中的两种溶剂的沸点差异≥10℃。

11.根据权利要求1至10中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂含有至少两种不同的溶剂，其中所述至少两种不同溶剂中的两种溶剂的蒸气压差异≥2倍，优选≥10倍。

12.根据权利要求1至11中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂的粘度为1.5至100mPas、优选为2.0至40mPas并且更优选为2.1至20mPas。

13.根据权利要求1至12中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述制剂含有添加剂和/或助剂。

14.根据权利要求13所述的制剂，其特征在于所述制剂含有至少一种聚合物粘结剂作为添加剂。

15.一种用于制备根据权利要求1至14中的一项或多项所述的制剂的方法，其特征在于将所述一种或多种有机半导体材料溶解在一种或多种有机溶剂中并且其后使用孔径≤2μm，优选孔径≤500nm并且更优选孔径≤200nm的一个或多个薄膜滤器来过滤所述制剂。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于通过使所述制剂通过所述薄膜滤器多于一次、优选多于3次、更优选多于10次并且最优选多于100次来过滤所述制剂。

17.一种用于制备电子器件的至少一个层的方法，其中所述至少一个层是使用根据权利要求1至14中的一项或多项所述的制剂通过浸涂、旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷、凸版印刷、丝网印刷、凹版印刷、刮刀涂布、辊筒印刷、反向辊筒印刷、平版胶印印刷、柔性版印刷、卷筒印刷、喷涂、帘涂、刷涂、气刷涂布、狭缝式染料涂布或移印来制备的。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述电子器件选自OLED、OTFT、OFET、太阳能电池、传感器、有机二极管和RFID。

19.一种根据权利要求1至14中的一项或多项所述的制剂的用途，其用于制备电子器件的至少一个层。

20.根据权利要求19所述的用途，其特征在于所述电子器件选自OLED、OTFT、OFET、太阳能电池、传感器、有机二极管和RFID。