[发明专利]MEMS换能器有效
申请号: | 201680007276.X | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN107211222B | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | S·L·卡吉尔;C·R·詹金斯;E·J·博伊德;R·I·拉明 | 申请(专利权)人: | 思睿逻辑国际半导体有限公司 |
主分类号: | H04R19/00 | 分类号: | H04R19/00 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 郑建晖;关丽丽 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 换能器 | ||
1.一种MEMS换能器,包括一个膜和至少两个安装结构,所述至少两个安装结构被设置在所述膜的周界处或附近,用于相对于一个基底支撑所述膜且用于提供一个柔性膜,其中:
所述柔性膜包括至少一个延伸穿过所述膜的缝,用于使所述安装结构的区域中的应力扩散;
每个缝描述一个弯曲路径,所述弯曲路径相对于所述柔性膜的中心是凹的并且弯曲至少180度,以便在所述缝的端部之间限定一个口,所述口背对两个相邻的安装结构之间的间隙;以及
至少一个缝在朝向膜的中心的方向上被定位在所述两个相邻的安装结构之间的间隙前方的区域处。
2.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中所述缝是C形的或U形的。
3.根据权利要求1所述的MEMS换能器,所述膜包括一个中心区域和多个应力分布臂,所述多个应力分布臂从所述中心区域横向延伸。
4.根据权利要求3所述的MEMS换能器,其中每个应力分布臂包括所述至少一个安装结构中的至少一个。
5.根据权利要求3至4中任一项所述的MEMS换能器,其中所述应力分布臂相对于所述膜的所述中心区域布置为使得所述膜内的应力以受控的方式变化。
6.根据权利要求3至4中任一项所述的MEMS换能器,其中所述应力分布臂围绕所述膜的所述中心区域被均匀地间隔开。
7.根据权利要求3至4中任一项所述的MEMS换能器,其中所述中心区域和所述多个应力分布臂形成所述膜的第一区域,且其中所述膜还包括第二区域。
8.根据权利要求7所述的MEMS换能器,其中所述换能器包括一个电极,所述电极被联接到所述膜的所述第一区域。
9.根据权利要求7所述的MEMS换能器,还包括设置在所述膜的所述第二区域中的至少一个通气部结构。
10.根据任一项前述权利要求1-4所述的MEMS换能器,其中所述膜的形状是正方形的或矩形的。
11.根据任一项前述权利要求1-4所述的MEMS换能器,其中所述膜包括:
一个活性膜区域,活性膜区域包括多个臂,用于支撑所述活性膜区域;和
多个非活性膜区域,所述多个非活性膜区域未被直接连接到所述活性膜区域。
12.根据权利要求11所述的MEMS换能器,其中所述臂能够围绕所述活性膜区域的周界均匀地散布。
13.根据权利要求11所述的MEMS换能器,其中所述活性膜区域的所述臂包括一个或多个安装件。
14.根据权利要求13所述的MEMS换能器,其中每个臂的所述安装件与所述活性膜区域的中心等距。
15.根据权利要求13所述的MEMS换能器,其中具有由所述安装件限定的周界的形状的所有区域都包括膜材料。
16.根据权利要求11所述的MEMS换能器,其中所述活性膜区域处于内在应力下。
17.根据权利要求11所述的MEMS换能器,其中至少一个可变通气部结构被形成在一个非活性膜区域中。
18.根据权利要求17所述的MEMS换能器,其中所述至少一个可变通气部被定位成使得所述通气部的、响应于压力差而打开的一部分覆盖一个基底腔的开口。
19.根据权利要求11所述的MEMS换能器,其中所述换能器包括形成在膜层中的至少一个可变通气部结构,其中所述活性膜区域不包括任何可变通气部结构。
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