[发明专利]太阳能电池元件及其制造方法有效
申请号: | 201680007452.X | 申请日: | 2016-02-02 |
公开(公告)号: | CN107360731B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 松岛德彦;村尾彰了;北山贤;后藤繁;稻井诚一郎;芝原求己 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朴英淑 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池元件,具备:
半导体基板,具有第1面以及位于该第1面的相反侧的第2面;
钝化膜,配置于该半导体基板的所述第2面;
第1电极,以在多个部位贯通了该钝化膜的状态与所述半导体基板相接;
第2电极,在俯视下不与该第1电极重叠的位置处,在所述钝化膜上或者以贯通了所述钝化膜的状态在所述半导体基板上,直线状配置该第2电极;以及
第3电极,分别覆盖该第2电极的一部分、所述钝化膜以及所述第1电极,并且在未将所述钝化膜贯通的状态下分别与所述第1电极以及所述第2电极相接,
所述第1电极以及所述第3电极由以铝为主成分的材料构成,
所述第1电极的电阻率小于所述第3电极的电阻率。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,
所述太阳能电池元件还具备配置在所述半导体基板的所述第1面上的防反射膜。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池元件,其中,
所述半导体基板的所述第2面包含p型硅,所述钝化膜由以氧化铝为主成分的材料形成。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池元件,其中,
在所述钝化膜与所述半导体基板之间,存在比所述钝化膜薄的第1氧化硅膜。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池元件,其中,
所述太阳能电池元件还具备配置在所述钝化膜与所述第3电极之间的第2氧化硅膜,该第2氧化硅膜比所述钝化膜薄。
6.根据权利要求1或2所述的太阳能电池元件,其中,
所述第2电极由以银为主成分的材料形成。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池元件,其中,
所述第2电极含有铝。
8.根据权利要求1或2所述的太阳能电池元件,其中,
所述第1电极含有银。
9.一种太阳能电池元件的制造方法,是制造权利要求1至8中任一项权利要求所述的太阳能电池元件的方法,在该方法中,
在烧固以铝为主成分的导电性膏I来形成将所述钝化膜贯通的所述第1电极后,在比所述导电性膏I低的温度下烧固材料与所述导电性膏I相同的导电性膏II来形成所述第3电极。
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