[发明专利]光源装置及发光装置有效
申请号: | 201680007611.6 | 申请日: | 2016-02-04 |
公开(公告)号: | CN107466428B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 大沼宏彰;松田诚;后藤清人;幡俊雄 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/54 | 分类号: | H01L33/54;H01L33/50;H01L25/075 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光源 装置 发光 | ||
1.一种光源装置,搭载一个以上的至少一种发光元件,且具备通过所述发光元件的输出光激发的荧光体,其特征在于,在所述光源装置中,在使搭载荧光体前搭载的全部的发光元件发光的情况下,在比440nm长且490nm以下的第一波长区域具有输出光的峰值波长,且在380nm以上且440nm以下的第二波长区域具有输出光的峰值波长,
所述光源装置发出的光的光谱,具有下述特性A与下述特性B:
特性A:在380nm以上且430nm以下的波长区域的积分强度相对于在380nm以上且780nm以下的波长区域的积分强度的比率为2%以上,
特性B:在460nm以上且490nm以下的波长区域的积分强度相对于在比440nm长且未满460nm的波长区域的积分强度的比率为100%以上,
在所述光源装置中,搭载荧光体前发出的光的光谱,具有下述特性α与下述特性β:
特性α:相对于在比440nm长且490nm以下的波长区域的积分强度,在380nm以上且440nm以下的波长区域的积分强度为3%以上且200%以下,
特性β:相对于在比440nm长且未满460nm的波长区域的积分强度,在460nm以上且490nm以下的波长区域的积分强度的比率为20%以上且200%以下。
2.如权利要求1所述的光源装置,其特征在于,在所述光源装置中,在使搭载荧光体前搭载的全部的发光元件发光的情况下,
在比440nm长且490nm以下的所述第一波长区域中,在比440nm长且未满460nm及460nm以上且490nm以下的两个波长区域分别具有一个以上的输出光的峰值波长。
3.如权利要求1所述的光源装置,其特征在于,所述发光元件是具有两种以上不同的发光峰值波长的一种发光元件,
在比440nm长且490nm以下的所述第一波长区域具有一个以上的输出光的峰值波长,且在380nm以上且440nm以下的所述第二波长区域具有一个以上的输出光的峰值波长。
4.如权利要求1所述的光源装置,其特征在于,所述发光元件在作为所述第一波长区域的比440nm长且490nm以下及作为所述第二波长区域的在380nm以上且440nm以下的各自的波长范围中具有发光峰值。
5.一种发光装置,包含权利要求1至4中任一项所述的光源装置。
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