[发明专利]光源装置及发光装置有效

专利信息
申请号: 201680007611.6 申请日: 2016-02-04
公开(公告)号: CN107466428B 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 大沼宏彰;松田诚;后藤清人;幡俊雄 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L33/54 分类号: H01L33/54;H01L33/50;H01L25/075
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 汪飞亚
地址: 日本国大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光源 装置 发光
【权利要求书】:

1.一种光源装置,搭载一个以上的至少一种发光元件,且具备通过所述发光元件的输出光激发的荧光体,其特征在于,在所述光源装置中,在使搭载荧光体前搭载的全部的发光元件发光的情况下,在比440nm长且490nm以下的第一波长区域具有输出光的峰值波长,且在380nm以上且440nm以下的第二波长区域具有输出光的峰值波长,

所述光源装置发出的光的光谱,具有下述特性A与下述特性B:

特性A:在380nm以上且430nm以下的波长区域的积分强度相对于在380nm以上且780nm以下的波长区域的积分强度的比率为2%以上,

特性B:在460nm以上且490nm以下的波长区域的积分强度相对于在比440nm长且未满460nm的波长区域的积分强度的比率为100%以上,

在所述光源装置中,搭载荧光体前发出的光的光谱,具有下述特性α与下述特性β:

特性α:相对于在比440nm长且490nm以下的波长区域的积分强度,在380nm以上且440nm以下的波长区域的积分强度为3%以上且200%以下,

特性β:相对于在比440nm长且未满460nm的波长区域的积分强度,在460nm以上且490nm以下的波长区域的积分强度的比率为20%以上且200%以下。

2.如权利要求1所述的光源装置,其特征在于,在所述光源装置中,在使搭载荧光体前搭载的全部的发光元件发光的情况下,

在比440nm长且490nm以下的所述第一波长区域中,在比440nm长且未满460nm及460nm以上且490nm以下的两个波长区域分别具有一个以上的输出光的峰值波长。

3.如权利要求1所述的光源装置,其特征在于,所述发光元件是具有两种以上不同的发光峰值波长的一种发光元件,

在比440nm长且490nm以下的所述第一波长区域具有一个以上的输出光的峰值波长,且在380nm以上且440nm以下的所述第二波长区域具有一个以上的输出光的峰值波长。

4.如权利要求1所述的光源装置,其特征在于,所述发光元件在作为所述第一波长区域的比440nm长且490nm以下及作为所述第二波长区域的在380nm以上且440nm以下的各自的波长范围中具有发光峰值。

5.一种发光装置,包含权利要求1至4中任一项所述的光源装置。

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