[发明专利]正型感光性硅氧烷组合物、有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法

权利要求书

1.一种正型感光性硅氧烷组合物，其特征在于，含有：(I)在四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液中的溶解速度不同的至少两种以上的聚硅氧烷、(II)重氮萘醌衍生物、(III)光酸产生剂以及(IV)溶剂，

所述聚硅氧烷(I)是(A)与(B)的混合物，

(A)聚硅氧烷(Ia)，将由下述通式(1)表示的硅烷化合物在碱性催化剂的存在下进行水解以及缩合而得的预烘烤后的膜可溶于5质量％TMAH水溶液，该膜的溶解速度为以下，

R¹_nSi(OR²)_4-n

式中，R¹表示任意的亚甲基被氧取代或未被氧取代的碳数为1～20的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳数为6～20且任意的氢被氟取代或未被氟取代的芳基，R²表示碳数为1～5的烷基，n表示0或1，

(B)聚硅氧烷(Ib)，将由所述通式(1)表示的硅烷化合物在碱性催化剂或酸性催化剂的存在下进行水解以及缩合而得的预烘烤后的膜在2.38质量％TMAH水溶液中的溶解速度为以上。

2.如权利要求1所述的正型感光性硅氧烷组合物，其特征在于，所述聚硅氧烷使通式(1)中的n＝0的硅烷化合物以20摩尔％以下进行反应而得。

3.如权利要求1或2所述的正型感光性硅氧烷组合物，其特征在于，

所述重氮萘醌衍生物相对于所述聚硅氧烷(I)100质量份为3质量份以上且10质量份以下，所述光酸产生剂的量相对于所述聚硅氧烷(I)100质量份为0.01质量份以上且10质量份以下。

4.一种有源矩阵基板，其特征在于，在基板上使多条源极布线与多条栅极布线以立体地交叉的方式形成，在所述源极布线与所述栅极布线交叉的部分的附近形成薄膜晶体管，形成通过该薄膜晶体管与对应的源极布线电连接的像素电极，至少在所述源极布线与所述栅极布线之间夹杂由权利要求1至3中任一项所述的正型感光性硅氧烷组合物的固化物构成的层间绝缘膜。

5.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述层间绝缘膜具有300℃以上的耐热性，

光透射率为90％以上，

300℃条件下的膜厚减少量为5％以下，

相对介电常数为4以下。

6.如权利要求4或5所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述层间绝缘膜形成于所述源极布线与所述栅极布线交叉的部分。

7.如权利要求4至6中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，在所述薄膜晶体管的上侧，进一步具有由所述固化物构成的层间绝缘膜。

8.一种显示装置，其特征在于，具有：

权利要求4至7中任一项所述的有源矩阵基板、

在该有源矩阵基板上配置的显示介质层、以及

在所述有源矩阵基板上隔着所述显示介质层相对的相对基板。

9.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包括：

像素电极形成工序，在基板上使多条源极布线与多条栅极布线以立体地交叉的方式形成，在所述源极布线与所述栅极布线交叉的部分的附近形成薄膜晶体管，形成通过该薄膜晶体管与对应的源极布线电连接的像素电极，以及，

层间绝缘膜形成工序，至少在所述源极布线与所述栅极布线之间形成由权利要求1至3中任一项所述的正型感光性硅氧烷组合物的固化物构成的层间绝缘膜，

所述层间绝缘膜形成工序包括：

使用所述正型感光性硅氧烷组合物形成膜的膜形成工序、

对形成的膜进行预烘烤的工序、

对经预烘烤的膜进行曝光工序、

对经曝光的膜进行显影的工序，以及

对经显影的膜进行烧成的工序。

10.如权利要求9所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述膜形成工序在所述源极布线与所述栅极布线交叉的部分形成膜。