[发明专利]利用X射线检测的放射传感器

权利要求书

1.一种利用MOS技术的口腔内放射图像传感器，其包括光敏像素的行和列的矩阵(MPIX)，每一个光敏像素都包括光电二极管(PH)和带有晶体管(Trs、TL、TS)的电路，其使得由光在像素中产生的电荷被收集并转换为电压；以及

-列导线(CC)，对于每一列像素，所述列导线为列的所有像素所共用，所述列导线连接到对应于列的读出电路(RD)；

-行寻址电路(LDEC)，其用于寻址选定行的像素，并将有用信号传送至列导线，有用信号由选定行的像素所产生，并表示这些像素的亮度；

传感器的特征在于，其包括，在矩阵的中间并且取代了像素中心列或中心行的检测光电二极管(PHx)的序列(SPHx)，所述检测光电二极管都是在其一侧电连接至参考电位，在另一侧电连接至沿着检测光电二极管的序列延伸的同一检测导线(CD)，所述检测导线被连接至检测电路(DX)，在检测到的电流或电流的变化超过表示X射线闪光已经启动的阈值时，传送用于触发拍摄图像的信号。

2.根据权利要求1所述的利用MOS技术的口腔内放射图像传感器，其通常为矩形形状，因此具有长度和宽度，其中长度大于宽度，其特征在于，检测光电二极管序列放置为定位于长度方向，取代中心列或行，检测导线沿长度方向延伸。

3.根据权利要求2所述的利用MOS技术的口腔内放射图像传感器，所述矩形形状具有切角。

4.根据权利要求2中所述的利用MOS技术的口腔内放射图像传感器，其特征在于，检测导线沿列导线的方向延伸。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的利用MOS技术的口腔内放射图像传感器，其特征在于，检测光电二极管以与环绕其的像素列或像素行中的像素相同的间距分布。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的利用MOS技术的口腔内放射图像传感器，其特征在于，检测光电二极管与像素的光电二极管在技术上是完全相同的。

7.根据权利要求6所述的利用MOS技术的口腔内放射图像传感器，其特征在于，检测光电二极管与像素的光电二极管具有相同的尺寸。

8.根据权利要求1至4中的任一项所述的利用MOS技术的口腔内放射图像传感器，其特征在于，其包括平行(SPHx2，SPHx3)或垂直(SPHy)于检测光电二极管的序列的至少一个其它光电二极管序列，所有其它光电二极管序列被直接连接至公共导线，公共导线本身连接至检测导线(CD)。

9.根据权利要求8所述的利用MOS技术的口腔内放射图像传感器，其特征在于，一个或更多个光电二极管序列仅占据矩阵的像素行或像素列的长度一部分。