[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具有串联连接的第一半导体元件和第二半导体元件，

所述第一半导体元件是由具有比所述第二半导体元件的开关损耗小的开关损耗的低开关损耗半导体元件构成的，

所述第二半导体元件是由具有比所述第一半导体元件的导通损耗小的导通损耗的低导通损耗半导体元件构成的，

所述半导体装置还具有控制电路，该控制电路被配置为控制所述第一半导体元件在断开状态和脉宽调制即PWM状态之间交替，以及控制所述第二半导体元件在断开状态、脉宽调制即PWM状态和始终接通状态之间交替。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述低开关损耗半导体元件是由具有比绝缘栅双极型晶体管的开关损耗小的开关损耗的半导体元件构成的。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述低导通损耗半导体元件是由具有比MOSFET的导通损耗小的导通损耗的半导体元件构成的。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体元件和所述第二半导体元件是由开关半导体元件以及与该开关半导体元件反向并联连接的二极管构成的，构成下臂的第二半导体元件的二极管是由具有比构成上臂的第一半导体元件的二极管的开关损耗小的开关损耗的宽禁带二极管构成的。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的开关半导体元件为相同的半导体元件。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的开关半导体元件是由硅绝缘栅双极型晶体管构成的。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具有串联连接的第三半导体元件和第四半导体元件，

所述第三半导体元件是由开关损耗比绝缘栅双极型晶体管的开关损耗小的宽禁带二极管构成的，

所述第四半导体元件是由具有比MOSFET的导通损耗小的导通损耗的低导通损耗半导体元件构成的，

所述第三半导体元件和所述第四半导体元件并联连接至所述第一半导体元件和所述第二半导体元件。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

由所述宽禁带二极管、所述低导通损耗半导体元件以及电抗器来构成电力变换装置的功率因数改善电路，其中，所述电抗器连接于所述宽禁带二极管同所述低导通损耗半导体元件的连接点与所述电力变换装置的输入侧之间。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

由所述宽禁带二极管和所述低导通损耗半导体元件来构成电力变换装置的制动电路部。

10.一种半导体装置，其特征在于，

具备桥电路，该桥电路是将多个开关臂部并联连接而成的，所述开关臂部具有串联连接的第一半导体元件和第二半导体元件，

构成所述桥电路的上臂的所述第一半导体元件是由具有比所述第二半导体元件的开关损耗小的开关损耗的低开关损耗半导体元件构成的，

构成所述桥电路的下臂的所述第二半导体元件是由具有比所述第一半导体元件的导通损耗小的导通损耗的低导通损耗半导体元件构成的，

所述半导体装置还具有控制电路，该控制电路被配置为控制所述第一半导体元件在断开状态和脉宽调制即PWM状态之间交替，以及控制所述第二半导体元件在断开状态、脉宽调制即PWM状态和始终接通状态之间交替。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述低开关损耗半导体元件是由具有比绝缘栅双极型晶体管的开关损耗小的开关损耗的半导体元件构成的。