[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，在多个字线和多个位线的各交叉位置配置有反熔丝存储器，其特征在于，

各所述反熔丝存储器包括：

存储器电容，其中，夹着存储器栅绝缘膜设置有存储器栅极，在阱上形成的一侧的扩散区域通过位线连接器连接有所述多个位线中的一个位线；

整流元件，设置在所述存储器栅极与所述多个字线中的一个字线之间，来自所述字线的电压经由字线连接器被施加到所述存储器栅极，并通过施加到所述存储器栅极和所述字线的电压值，阻断从所述存储器栅极施加到所述字线的电压，

其中，两个以上的所述反熔丝存储器共用一个所述位线连接器，

两个以上的所述反熔丝存储器共用一个所述字线连接器。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

彼此相邻的四个所述反熔丝存储器共用一个所述位线连接器，且彼此相邻的四个所述反熔丝存储器共用一个所述字线连接器。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

与一个所述位线连接器连接的四个所述反熔丝存储器分别与能够独立地电性控制的所述字线连接，

与一个所述字线连接器连接的四个所述反熔丝存储器分别与能够独立地电性控制的所述位线连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于，

各所述位线通过所述位线连接器对两个以上的所述反熔丝存储器施加电压，各所述字线通过所述字线连接器对两个以上的所述反熔丝存储器施加电压。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于，

在配置于末端的沿规定方向排列的各所述字线连接器上分别连接有两个所述反熔丝存储器，

在配置于中央区域的其余的所述字线连接器上分别连接有四个所述反熔丝存储器。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

沿一方向排列的多个所述反熔丝存储器共用一个所述位线连接器，且与不同的所述位线连接器连接的相邻的两个所述反熔丝存储器共用一个所述字线连接器。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

沿一方向排列的多个所述反熔丝存储器共用一个所述字线连接器，且与不同的所述字线连接器连接的相邻的两个所述反熔丝存储器共用一个所述位线连接器。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述反熔丝存储器中，

当向所述存储器电容写入数据时，施加到所述字线的电压通过所述整流元件被施加到所述存储器栅极，并通过所述存储器栅极与所述位线的电压差，所述存储器栅绝缘膜被绝缘破坏，

当向所述存储器电容不写入数据时，若所述存储器栅极的电压高于所述字线的电压，则阻断从所述存储器电容的所述存储器栅极施加到所述字线的电压。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述反熔丝存储器的所述整流元件具有P型半导体区域和N型半导体区域接合的PN接合二极管的半导体接合结构，所述P型半导体区域通过所述字线连接器与所述字线连接，所述N型半导体区域与所述存储器栅极连接。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述反熔丝存储器中构成所述整流元件的所述P型半导体区域和所述N型半导体区域与所述存储器栅极一体形成。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述反熔丝存储器的所述整流元件由N型MOS晶体管或P型MOS晶体管构成，一端的源区域与所述存储器栅极连接，且另一端的漏区域与所述字线连接，整流元件栅极与所述字线或者所述存储器栅极中的任意一个连接，通过使沟道处于非导通状态，由此阻断从所述存储器栅极施加到所述字线的电压。