[发明专利]场效应装置、相关的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201680008545.4 申请日: 2016-01-28
公开(公告)号: CN107278330B 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: S·哈克 申请(专利权)人: 诺基亚技术有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/49;H01L29/786
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 付秋瑜;杨晓光
地址: 芬兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 场效应 装置 相关 方法
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

通道部件,

第一电极和第二电极,被配置为使能电流从所述第一电极通过所述通道部件向所述第二电极的流动,以及

支撑衬底,被配置为支撑所述通道部件、所述第一电极和第二电极,

其中,所述支撑衬底和所述电极中的一个或多个被配置以使得所述通道部件的一部分被悬挂以暴露所述部分的相对的表面,所暴露的相对的表面的每一个包括在其上被配置为促进电流通过所述通道部件的流动的变化的相应的功能涂层,

其中,在所暴露的相对的表面的每一个上的所述功能涂层包括不同的受体物质,所述不同的受体物质被配置为与周围环境中的相应的不同的分析物物质相互作用,所述不同的受体物质与所述相应的不同的分析物物质的相互作用引起通过所述通道部件的所述电流的改变,

其中,所述装置是分析物传感器。

2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述分析物物质被充电,所述受体物质与所述分析物物质的相互作用将所述分析物物质定位为足够接近所述通道部件,从而所述分析物物质上的电荷引起所述电流的改变。

3.根据权利要求1所述的装置,其中,在所暴露的相对的表面中的一个上的功能涂层与在所暴露的相对的表面中的另一个上的功能涂层相同或不同。

4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述支撑衬底、所述电极、所述通道部件、和所述功能涂层中的一个或多个被配置为基本上可逆地可变形。

5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述通道部件具有被配置为促进所述装置的变形的波状结构。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置,其中,所暴露的相对的表面的组合表区域的50%以上包括在其上的功能涂层。

7.一种形成分析物传感器装置的方法,

所述装置包括:

通道部件;

第一电极和第二电极,被配置为使能电流从所述第一电极通过所述通道部件向所述第二电极的流动;

支撑衬底,被配置为支撑所述通道部件、所述第一电极和所述第二电极,

所述支撑衬底和所述电极中的一个或多个被配置以使得所述通道部件的一部分被悬挂以暴露所述部分的相对的表面,

所述方法包括:

将相应的功能涂层沉积在悬挂部分的所暴露的相对的表面的每一个上,所述相应的功能涂层被配置为促进电流通过所述通道部件的流动的变化,在所暴露的相对的表面的每一个上的所述功能涂层包括不同的受体物质,所述不同的受体物质被配置为与周围环境中的相应的不同的分析物物质相互作用,所述不同的受体物质与所述相应的不同的分析物物质的相互作用引起通过所述通道部件的所述电流的改变。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述方法包括:

将所述通道部件、所述第一电极和所述第二电极沉积在所述支撑衬底上,其中,所述相应的功能涂层的沉积在所述通道部件、所述第一电极和所述第二电极的沉积之前或之后执行。

9.一种计算机可读存储介质,在其上存储被配置为执行根据权利要求7或8所述的方法的计算机代码。

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