[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极，其形成在基板上；

栅绝缘体，其形成在包括所述栅电极的所述基板的整个表面上；

第一有源层，其由铟-镓-氧化锌（IGZO）薄膜形成在所述栅电极上；

第二有源层，其以第一多层结构形成在所述第一有源层之上；

第三有源层，其以第二多层结构形成在所述第一有源层之下；以及

源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极间隔开预定距离并且连接到所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层，

其中所述第三有源层包括：

第一氧化锌（ZnO）层，其与所述第一有源层的下表面相距设置；和

第一氧化镓锌（GZO）层，其设置在所述第一有源层和所述第一氧化锌层之间，以及

其中所述第二有源层包括：

第二氧化锌（ZnO）层，其与所述第一有源层的上表面相距设置；和

第二氧化镓锌（GZO）层，其设置在所述第一有源层和所述第二氧化锌层之间，

其中所述栅绝缘体仅接触所述第一氧化锌（ZnO）层。

2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一有源层包括：

第一氧化物薄膜层，其通过原子层沉积（ALD）形成；以及

第二氧化物薄膜层，其通过化学气相沉积（CVD）形成。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述第一氧化物薄膜层与所述第二氧化物薄膜层相比更靠近所述栅绝缘体。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括蚀刻停止层，其位于所述第二有源层的上表面与所述源电极和所述漏电极的下表面之间。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中在形成所述第三有源层之前，向所述栅绝缘体提供二乙基锌。

6.一种用于制造薄膜晶体管的方法，包括：

在基板上形成栅电极，并且在所述栅电极上形成栅绝缘体；

在所述栅绝缘体上形成具有第一多层结构的第三有源层，所述第三有源层包括在所述栅绝缘体上的第一氧化锌（ZnO）层和在所述第一氧化锌（ZnO）上的第一氧化镓锌（GZO）层，其中所述栅绝缘体仅接触所述第一氧化锌（ZnO）层；

在所述第三有源层上形成包含铟-镓-氧化锌（IGZO）薄膜的第一有源层；以及

在所述第一有源层上形成具有第二多层结构的第二有源层，所述第二有源层包括在所述第一有源层上的第二氧化镓锌（GZO）层和在所述第二氧化镓锌层上的第二氧化锌（ZnO）层；

在包括所述第一有源层至所述第三有源层的所述基板的整个表面上形成蚀刻停止层；以及

在所述蚀刻停止层上形成彼此间隔开预定距离的源电极和漏电极，使得所述源电极和所述漏电极连接到所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中形成第一有源层的步骤包括：

通过原子层沉积在所述第一氧化镓锌层上形成第一氧化物薄膜层；以及

通过化学气相沉积在所述第一氧化物薄膜层上形成第二氧化物薄膜层。