[发明专利]玻璃基板、层叠基板以及玻璃基板的制造方法

说明书

本发明提供一种玻璃基板，在将硅基板和玻璃基板贴合的热处理工序中，碱性离子不易向上述硅基板扩散，上述硅基板产生的残留应变小。本发明的玻璃基板在50℃～100℃的平均热膨胀系数α_50/100为2.70ppm/℃～3.20ppm/℃，在200℃～300℃的平均热膨胀系数α_200/300为3.45ppm/℃～3.95ppm/℃，将200℃～300℃的平均热膨胀系数α_200/300除以50℃～100℃的平均热膨胀系数α_50/100而得的值α_200/300/α_50/100为1.20～1.30，碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分比计为0％～0.1％。

技术领域

本发明涉及玻璃基板、层叠基板以及玻璃基板的制造方法。

背景技术

对于芯片尺寸封装(CSP)等的图像传感器，已知在硅基板上贴付玻璃基板进行保护的方式，提出了使由热膨胀所引起的伸长率接近于与玻璃接合的硅基板的由热膨胀所引起的伸长率的硅基座用玻璃(例如，参照专利文献1)。

另外，迄今为止的半导体组装工序中，将晶片状态的硅基板与玻璃基板分别切断后，将硅基板与玻璃基板贴合，进行模片键合、引线键合、以及成型等一系列的组装工序。近年来，以原尺寸的晶片状态将硅基板与玻璃基板贴合进行组装工序后进行切断的晶片级封装技术作为下一代CSP技术备受关注。

贴合硅基板与玻璃基板需要热处理工序。热处理工序中，例如，使在200℃～400℃的温度贴合硅基板与玻璃基板而成的层叠基板降温到室温。此时，如果硅基板与玻璃基板的热膨胀系数存在差异，则成为因热膨胀系数的不同而使硅基板产生大的残留应变(残留变形)的原因。

晶片级封装技术中，因为以晶片状态将硅基板和玻璃基板贴合，所以即使以往不成为问题的热膨胀系数的差异，也容易在硅基板产生残留应变。另外，热处理工序中要求碱性离子不会从玻璃基板向硅基板扩散。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利第3153710号公报

发明内容

专利文献1中提出了一种硅基座用玻璃，其特征在于，玻璃的由热膨胀所引起的伸长率α₁与接合于玻璃的硅基板的由热膨胀所引起的伸长率α₂的比例α₁/α₂为0.8～1.2的范围的值。但是，专利文献1中公开的实施例的玻璃与硅基板的热膨胀系数的一致性不充分，在晶片级封装技术中硅基板容易产生残留应变。

因此，本发明提供在将硅基板和玻璃基板贴合的热处理工序中碱性离子不易向硅基板扩散、硅基板产生的残留应变小的玻璃基板以及玻璃基板的制造方法。另外，本发明提供使用该玻璃基板的层叠基板。

本发明的玻璃基板的特征在于，在50℃～100℃的平均热膨胀系数α_50/100为2.70ppm/℃～3.20ppm/℃，

在200℃～300℃的平均热膨胀系数α_200/300为3.45ppm/℃～3.95ppm/℃，

将200℃～300℃的平均热膨胀系数α_200/300除以50℃～100℃的平均热膨胀系数α_50/100而得的值α_200/300/α_50/100为1.20～1.30，

碱金属氧化物的含量以氧化物基准的摩尔百分比计为0％～0.1％。

本发明的层叠基板的特征在于，层叠有上述的玻璃基板和硅基板。