[发明专利]经构造用于更低薄膜应力及更低操作温度的3D打印腔室元件有效
申请号: | 201680008925.8 | 申请日: | 2016-01-15 |
公开(公告)号: | CN107210179B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 卡泽拉·R·纳伦德瑞纳斯;戈文达·瑞泽;吉留刚一;波柏纳·伊谢提拉·瓦珊塔;乌梅什·M·科尔卡 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;B33Y80/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 构造 用于 薄膜 应力 操作 温度 打印 元件 | ||
本文公开一种用于处理腔室的腔室元件。在一个实施方式中,一种用于处理腔室的腔室元件包括:具有单一整体结构的元件部分主体。所述元件部分主体具有纹理表面。所述纹理表面包括:多个独立的改造宏观特征,这些改造宏观特征与所述元件部分主体一体形成。这些改造宏观特征包括:从所述纹理表面延伸的宏观特征主体。
技术领域
本发明的实施方式涉及用于在半导体器件制造中使用的设备的腔室元件。
背景技术
可靠地制造亚半微米(sub-half micron)及更小特征是半导体器件的下一代超大规模集成电路(very large scale integration,VLSI)及特大规模集成电路(ultralarge-scale integration,ULSI)的关键技术挑战之一。然而,随着电路技术的限制被推进,缩小的VLSI及ULSI互连技术尺寸已在处理性能上产生了额外的需求。可靠地在基板上形成栅极结构对于VLSI及ULSI的成功及持续努力以增加单个基板及晶片(die)的电路密度及品质而言是重要的。
随着集成电路元件的尺寸减少(例如减少到深度亚微米尺寸),用以制造如此元件的材料必须被小心地选择以获得令人满意的电性性能水准。例如,当相邻金属互连之间的距离及/或隔离互连的介电块绝缘材料的厚度具有亚微米尺寸时,发生在金属互连之间的电容耦合的电位是高的。相邻金属互连之间的电容耦合可能造成串扰(cross talk)及/或电阻电容(RC)延迟,这降低了集成电路的整体性能并可能使所述电路不可操作。
制造亚半微米及更小的特征依赖各种处理设备,例如物理气相沉积腔室(PVD)等等。沉积腔室使用RF线圈以维持处理腔室中的等离子体。在PVD腔室中所使用的现有腔室元件可具有高温差,这在PVD腔室的操作期间对于附着于元件的材料造成了高膜应力。更高的膜应力可能在膜已到达临界厚度之后在PVD腔室的操作期间造成经沉积材料的剥脱。沉积材料的剥脱造成PVD腔室的内部污染(也就是微粒)的增加,这造成了基板缺陷及低产量。因此,高污染风险不期望地需要更频繁地清洁及维护PVD腔室。
因此,存在着帮助防止处理腔室污染的改良的腔室元件的需要。
发明内容
公开内容是作为腔室元件上的纹理表面的一部分而形成的改造特征的实施方式。
在一个实施方式中,一种用于处理腔室的腔室元件具有主体。所述主体具有单一整体(monolithic)结构。所述主体具有纹理表面。所述纹理表面具有多个独立的改造特征,其中所述改造特征包括宏观特征。所述改造特征经构造以降低膜应力并调整所述腔室元件的热传导性。
在另一个实施方式中,一种用于处理腔室的腔室元件包括:元件部分主体,具有单一整体结构。所述元件部分主体具有纹理表面。所述纹理表面包括:多个独立的改造宏观特征,与所述元件部分主体一体形成。所述改造宏观特征包括从所述纹理表面延伸的宏观特征主体。
在又一实施方式中,一种用于处理腔室的线圈间隔件的杯件包括:主体,具有单一整体结构。所述主体包括:外表面;顶部;底部;开口,所述开口设置于所述顶部中且朝所述底部延伸;内表面,所述内表面设置于所述开口附近;上盖体,所述上盖体位于所述顶部附近,且设置于所述外表面及所述内表面之间;及形成于所述外表面上的多个宏观层面表面特征。
在又一实施方式中,一种用于处理腔室的线圈间隔件的杯件包括:主体,具有由附加式(additive)制造技术所形成的单一整体结构。所述附加式制造技术可为选择性激光烧结、粘合剂喷射、材料喷射、粉末床熔融、片积层、直接能量沉积或任何其他附加式制造工艺。所述主体包括:外表面;顶部;底部;开口,所述开口设置于所述顶部中且朝所述底部延伸;内表面,所述内表面设置于所述开口附近;上盖体,所述上盖体位于所述顶部附近,并设置于所述外表面及所述内表面之间;及多个宏观层面表面特征,形成于所述内表面及所述外表面中的至少一者上。所述表面特征包括改造表面结构的重复性预定图案。
附图说明
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